Tranzystory MOSFET w obudowach UDFN6 o powierzchni 2 x 2 mm

Toshiba wprowadza na rynek tranzystory MOSFET kilku dotychczasowych serii zamykane w nowym typie obudowy UDFN6 (LGA) o powierzchni 2 x 2 mm. W nowej obudowie są zamykane tranzystory pojedyncze i podwójne p-kanałowe (ozn. odpowiednio SSM6JxxxNU i SSM6PxxNU) oraz pojedyncze i podwójne n-kanałowe (ozn. SSM6KxxxNU i SSM6NxxNU).

Wszystkie cechują się małą rezystancją kanału i maksymalną mocą rozpraszaną do 1 W. Są polecane do zastosowań przede wszystkim jako przełączniki zasilania oraz w układach zabezpieczenia akumulatora. Maksymalny prąd drenu wynosi 12 A dla wersji jednokanałowych i 4 A dla dwukanałowych.

Nowa oferta obejmuje tranzystory p-kanałowe o rezystancji RDS(on) z zakresu od 12 do 95 mΩ (dla VGS=4,5V) i pojemności wejściowej od 290 do 2700 pF oraz tranzystory n-kanałowe o rezystancji RDS(on) z zakresu od 26 do 64 mΩ (dla VGS=4,5V) i pojemności wejściowej od 270 do 620 pF. Maksymalne napięcie drenu dla wersji p- i n-kanałowych wynosi odpowiednio 20 i 30 V.

Poza wspomnianymi seriami w obudowach UDFN6 produkowane są też tranzystory w wersjach specjalnych, m.in. ze zintegrowaną diodą Schottky’ego oraz ze zintegrowanym tranzystorem bipolarnym. Na uwagę zasługuje najnowszy p-kanałowy tranzystor SSM6J505NU wykonany w technologii UMOS-VI, którego rezystancja kanału nie przekracza 61 mΩ przy napięciu VGS wynoszącym zaledwie 1,2V.