Miniaturowe p-kanałowe MOSFETy o rezystancji kanału od 13,5 mΩ/4,5 V

Vishay Siliconix rozszerza technologię TrenchFET Gen III na pojedyncze tranzystory MOSFET o napięciach znamionowych 12 i 30 V. W ostatnim czasie oferta firmy powiększyła się o dwa p-kanałowe MOSFETy zamykane w miniaturowych, niskoprofilowych obudowach PowerPAK SC-70 (2 x 2 x 0,8 mm) i PowerPAK ChipFET (3,0 x 1,8 x 0,8 mm): 12-woltowy SiA447DJ i 30-woltowy Si5429DU.

Charakteryzują się one rezystancją R_DS(on) odpowiednio 13,5 mΩ i 22 mΩ przy napięciu V_GS równym 4,5 V. Rezystancja R_DS(on) modelu SiA447DJ przy niższych napięciach sterowania bramki wynosi 19,4 mΩ @ 2,5 V, 35 mΩ @ 1,8 V i 71 mΩ @ 1,5 V. Oba tranzystory są przeznaczone do zastosowań jako przełączniki zasilania w urządzeniach bateryjnych.