Nieulotne pamięci FRAM 1 i 2 Mb o gwarantowanej niezawodności 1013 cykli odczytu/zapisu

Firma Fujitsu Semiconductor oferuje dwie nowe nieulotne pamięci FRAM o gwarantowanej niezawodności 1013 cykli odczytu/zapisu, co najmniej 10-krotnie większej od wcześniejszych wersji. MB85RS1MT i MB85RS2MT są pamięciami o pojemności odpowiednio 1 Mb (131.072 x 8) i 2 Mb (262.144 x 8), przeznaczonymi do zastosowań w inteligentnych miernikach, maszynach przemysłowych i aparaturze medycznej.

W porównaniu z pamięciami EEPROM o identycznej pojemności pobierają mniejszy nawet o 92% prąd podczas zapisu. Zapewniają 10-letni czas utrzymywania danych w matrycy. Pracują w temperaturze otoczenia od -40 do +85°C Obie zawierają interfejs szeregowy SPI. Są produkowane w 8-wyprowadzeniowych obudowach SOP i DIP.