Chipowa dioda Schottky\'ego o parametrach znamionowych 30 V/0,2 A

Firma Diodes wyprodukowała swoją pierwszą diodę Schottky\'ego zamkniętą w obudowie CSP o powierzchni wynoszącej 0,6 x 0,3 mm i grubości 0,3 mm. Model SDM0230CSP, opracowany na potrzeby urządzeń przenośnych o miniaturowej konstrukcji charakteryzuje się dopuszczalnym napięciem wstecznym 30 V, dopuszczalnym ciągłym prądem przewodzenia 0,2 A, maksymalnym napięciem przewodzenia 0,5 V @ 0,2 A i prądem wstecznym 1,5 mA @ 30 V.

Zapewnia dwukrotnie większą gęstość mocy od wcześniejszych miniaturowych diod Schottky’ego zamykanych w obudowach typu DFN0603 i mniejszą o połowę rezystancję termiczną.