250-woltowe MOSFETy o małej rezystancji przewodzenia i małej pojemności wejściowej

Toshiba Electronics powiększa ofertę n-kanałowych tranzystorów MOSFET rodziny UMOS VIII-H o 32 nowe modele produkowane w wersjach na napięcia przebicia od 60 do 250 V. Nowa oferta obejmuje w sumie 32 tranzystory zamykane w płaskich obudowach TSON Advance (3 x 3 mm) i SOP Advance (6 x 5 mm). Wyróżniają się one małą rezystancją kanału uzyskaną przy równocześnie małej pojemności wejściowej C_ISS i małym ładunku bramki Qg, co zapewnia dużą sprawność przy pracy impulsowej.

Niektóre wykonania cechuje najniższa wartość R_DS(on) w swoje klasie. Przykładowo, dla 100-woltowego TPH4R50ANH rezystancja RDS(on) nie przekracza 4,5 mΩ przy napięciu sterującym V_GS=10 V. Z kolei 200-woltowy TPH2900ENH charakteryzuje się rezystancją R_DS(on) poniżej 29 mΩ @ V_GS=10 V. Tranzystory z nowej oferty są przeznaczone do zastosowań w układach zasilania od których wymagana jest najwyższa sprawność energetyczna. W tabeli podano ważniejsze dane techniczne dla trzech wybranych modeli.