Toshiba Electronics powiększa ofertę n-kanałowych tranzystorów MOSFET rodziny UMOS VIII-H o 32 nowe modele produkowane w wersjach na napięcia przebicia od 60 do 250 V. Nowa oferta obejmuje w sumie 32 tranzystory zamykane w płaskich obudowach TSON Advance (3 x 3 mm) i SOP Advance (6 x 5 mm). Wyróżniają się one małą rezystancją kanału uzyskaną przy równocześnie małej pojemności wejściowej CISS i małym ładunku bramki Qg, co zapewnia dużą sprawność przy pracy impulsowej.
Niektóre wykonania cechuje najniższa wartość RDS(on) w swoje klasie. Przykładowo, dla 100-woltowego TPH4R50ANH rezystancja RDS(on) nie przekracza 4,5 mΩ przy napięciu sterującym VGS=10 V. Z kolei 200-woltowy TPH2900ENH charakteryzuje się rezystancją RDS(on) poniżej 29 mΩ @ VGS=10 V. Tranzystory z nowej oferty są przeznaczone do zastosowań w układach zasilania od których wymagana jest najwyższa sprawność energetyczna. W tabeli podano ważniejsze dane techniczne dla trzech wybranych modeli.
| TPH2R306NH | TPH4R50ANH | TPH2900ENH | |
| VDSS | 60 V | 100 V | 200 V |
| ID | 130 A | 93 A | 36 A |
| PD | 78 W | 78 W | 78 W |
| Ciss | 4700 pF | 4000 pF | 1700 pF |
| Qg | 72 nC | 58 nC | 22 nC |
| RDS(ON) (VGS=10 V |
2,3 mΩ | 4,5 mΩ | 29 mΩ |
Więcej na: www.toshiba-components.com
