Nowa generacja diod Schottky\'ego SiC 1200 V o napięciu przewodzenia 1,7 V

Do oferty Infineon Technologies trafiła nowa, piąta już generacja 1200-woltowych diod Schottky’ego produkowanych w technologii SiC, charakteryzujących się niskim napięciem przewodzenia w szerokim zakresie temperatur pracy złącza (1,7 V @ +150°C) oraz zwiększoną odpornością na impulsy prądu udarowego. Nowe diody linii thinQ! zapewniają mniejsze nawet do 30% straty mocy od elementów wcześniejszej generacji, a co za tym idzie większą sprawność i niezawodność w układach dużej mocy.

Znajdują zastosowanie w 3-fazowych zasilaczach impulsowych, zasilaczach UPS i w układach sterowania silnikami. W zależności od modelu, ich dopuszczalna wartość prądu udarowego może osiągnąć nawet 14-krotność prądu znamionowego, co zwiększa niezawodność i pozwala wyeliminować diodę bocznikową. Oferta diod SiC piątej generacji obejmuje wersje zamykane w obudowach TO-247 (ozn. IDXxxxx), TO-220 (IDHxxxx) i DPAK (IDMxxxx), których dopuszczalny zakres prądów znamionowych rozciąga się od 2 do 40 A.