Tranzystory n-MOS do zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych

International Rectifier wprowadza na rynek rodzinę tranzystorów MOSFET do zabezpieczania akumulatorów litowo-jonowych, obejmującą modele p- i n-kanałowe produkowane na napięcia znamionowe 20 i 30 V. Mogą one być sterowane maksymalnym napięciem bramki równym 12 V, co pozwala na zastosowania w akumulatorach 2-ogniwowych. Cechują się przede wszystkim małą rezystancją R_DS(on).

Wyróżnia się tu podwójny n-kanałowy model IRL6297SD ze wspólnym drenem, którego rezystancja wynosi 4,9 mΩ i 6,9 mΩ przy napięciach sterujących bramką równych odpowiednio 4,5 i 2,5 V. Jest on zamykany w obudowie DirectFET. W tabeli zaprezentowano parametry wybranych modeli z nowej oferty.