Ultraszybkie tranzystory IGBT 650 V o zakresie prądów kolektora 15...90 A

Firma International Rectifier dodaje kolejne tranzystory IGBT do linii Ultra-fast, produkowane na napięcie przebicia 650 V i na zakres dopuszczalnych prądów kolektora od 15 do 90 A. Są one przeznaczone do zastosowań w spawarkach, zasilaczach UPS, układach napędowych, grzejnikach indukcyjnych itp. Do ich produkcji zastosowano cienkowarstwową technologię Trench, co pozwoliło na zwiększenie sprawności dzięki zredukowaniu strat na przewodzenie i przełączanie.

Rodzina IRGP47xx obejmuje tranzystory dyskretne oraz ze zintegrowaną diodą regeneracyjną. Są one przewidziane do pracy z częstotliwością przełączania od 8 do 30 kHz. Charakteryzują się odpornością na zwarcie do 6 µs, dodatnim współczynnikiem temperaturowym VCE(ON) ułatwiającym łączenie równoległe kilku egzemplarzy, napięciem VCE(ON) wynoszącym typowo 1,7 V (przy +100°C) i dopuszczalną temperaturą pracy złącza +175°C. Ceny hurtowe tranzystorów IRGP47xx zaczynają się od 1,32 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.

Oznaczenie Obudowa BVCES [V] IC (100°C) [A] VCEON [V] Linia produktów
Tranzystory IGBT z wewnętrzną diodą low Qrr
IRGS4715D D2PAK 650 15 1,7 Ultra-fast
IRGB4715D TO-220 650 15 1,7 Ultra-fast
IRGP4740D TO-247 650 40 1,7 Ultra-fast
IRGP4750D TO-247 650 50 1,7 Ultra-fast
IRGP4760D TO-247 650 60 1,7 Ultra-fast
IRGP4790D TO-247 650 90 1,7 Ultra-fast
Dyskretne tranzystory IGBT
IRGP4760 TO-247 650 60 1,7 Ultra-fast
IRGP4790 TO-247 650 90 1,7 Ultra-fast

Zapytania ofertowe
Ultraszybkie tranzystory IGBT 650 V o zakresie prądów kolektora 15...90 A
Zapytanie ofertowe