Podwójne sterowniki bramek tranzystorów MOSFET w obudowach o powierzchni 3 x 3 mm

Do oferty Ixys Semiconductor trafiły trzy nowe sterowniki tranzystorów MOSFET o oznaczeniach IX4426, IX4427 i IX4428, produkowane w miniaturowych obudowach DFN o powierzchni 3 x 3 mm. Są to sterowniki podwójne o wydajności prądowej wynoszącej ±1,5 A na wyjście, mogące przełączać obciążenia 1000 pF w czasie krótszym niż 10 ns. W przypadku konieczności przełączania większych obciążeń umożliwiają połączenie obu wyjść, zapewniając wydajność prądową 3 A.

Wszystkie mogą pracować w zakresie napięć zasilania od 4,5 do 35 V, znacznie szerszym od większości odpowiedników. Ich wejścia sterujące są kompatybilne z poziomami napięć TTL/CMOS i zabezpieczone przed zatrzaśnięciem. IX4426, IX4427 i IX4428 są przewidziane do pracy w szerokim zakresie temperatur otoczenia od -40 do +125°C.

Różnią się konfiguracją: IX4426 zawiera dwa wyjścia odwracające, IX4427 dwa wyjścia nieodwracające, a IX4428 po jednym wyjściu odwracającym i nieodwracającym. Ceny hurtowe IX4426/7/8M zaczynają się od 0,34 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.