Infineon Technologies AG dodaje do oferty kolejną rodzinę tranzystorów MOSFET StrongIRFET zaprojektowanych do zastosowań w aplikacjach o małej dostępnej przestrzeni montażowej, a wymagających dużej sprawności i skutecznego odprowadzania ciepła. Przykładem mogą tu być elektronarzędzia, drony, pojazdy zdalnie sterowane czy rowery elektryczne. Tranzystory StrongIRFET są produkowane w obudowach Medium Can DirectFET wyróżniających się specyficzną konstrukcją zapewniającą dużą wydajność chłodzenia.
Zostały one zmodyfikowane w stosunku do oryginalnego standardu DirectFET. Dzięki przesunięciu elektrody bramki do rogu struktury, znacząco zwiększono powierzchnię kontaktu elektrody źródła i uzyskano mniejszą rezystancję termiczną między obudową i płytką PCB. Nowa oferta obejmuje tranzystory o napięciach znamionowych od 40 do 75 V charakteryzujące się małą rezystancją RDS(on) i dużą wydajnością prądową. Mogą one przewodzić prądy o natężeniu nawet do ponad 200 A.
| Dane techniczne tranzystorów w obudowach Medium Can DirectFET | ||||
| VDS | RDS(on) typ./maks. @ 10 V |
ID | QG | |
| IRF7480MTRPBF | 40 V | 0,9 / 1,2 mΩ | 217 A | 123 nC |
| IRF7483MTRPBF | 40 V | 1,7 / 2,3 mΩ | 135 A | 81 nC |
| IRF60DM206 | 60 V | 2,2 / 2,9 mΩ | 130 A | 133 nC |
| IRF7580MTRPBF | 60 V | 2,9 / 3,6 mΩ | 114 A | 120 nC |
| IRF7780MTRPBF | 75 V | 4,5 / 5,7 mΩ | 89 A | 124 nC |
Więcej na: www.infineon.com