2-wyprowadzeniowe szeregowe pamięci EEPROM zasilane z linii danych

Atmel opracował pierwsze na rynku szeregowe pamięci EEPROM zawierające jedynie 2 wyprowadzenia: GND i SI/O. Są one zasilane napięciem pull-up z linii danych, wynoszącym 1,7...3,6 V dla AT21CS01 i 2,7...4,5 V dla AT21CS11. W temperaturze +25°C pobierają 700 nA prądu w trybie standby, 200 µA przy zapisie i 80 µA przy odczycie. Nietypowy schemat zasilania pozwala w przypadku tych układów wyeliminować linię VCC oraz konieczność podłączania zewnętrznych kondensatorów i diod prostowniczych.

Do zalet należy też bardzo duża niezawodność na poziomie 1 miliona cykli zapisu, czas przechowywania danych określany przez producenta na 100 lat oraz wbudowany w każdy chip unikalny 64-bitowy numer identyfikacyjny i dodatkowy obszar 16 bajtów na dane użytkownika, który po zapisie jest trwale blokowany przed próbami modyfikacji.

AT21CS01/11 to pamięć o pojemności 1 Kb (128 x 8 bitów) obsługująca protokół I²C, zapewniająca szybkość transmisji wynoszącą 15,4 Kb/s w trybie standardowym i 125 Kb/s w trybie High Speed. Charakteryzuje się długością cyklu zapisu nie przekraczającą 5 ms. Zawiera zabezpieczenie przed wyładowaniami ESD do ±8 kV przenoszonymi przez kontakt i ±15 kV przenoszonymi przez powietrze. Pierwszy z nowych układów, AT21CS01 jest produkowany w obudowach SOT23-3, SOIC-8 i WLCSP-4. Ceny hurtowe zaczynają się od 0,32 USD przy zamówieniach 5000 sztuk. AT21CS11 ma być dostępny w 4. kwartale 2015.


Zapytania ofertowe
2-wyprowadzeniowe szeregowe pamięci EEPROM zasilane z linii danych
Zapytanie ofertowe