1-amperowe diody Schottky’ego o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,27 mm

NXP powiększa ofertę diod Schottky’ego o 7 nowych elementów produkowanych w miniaturowych obudowach DSN1006 o wymiarach 1,0 x 0,6 x 0,27 mm. Wszystkie one mogą pracować z tym samym dopuszczalnym prądem przewodzenia do 1 A, natomiast różnią się napięciem przebicia, wynoszącym 30 V dla serii PMEG3010xxxx, 40 V dla PMEG4010xxxx i 60 V dla PMEG6010xxxx.

Poszczególne egzemplarze zostały zoptymalizowane pod kątem uzyskania możliwie najmniejszego napięcia przewodzenia (ozn. \"AESB\") lub jak najmniejszego natężenia prądu wstecznego (ozn. \"ESB\"). Przykładowo, dla wersji 60-woltowych PMEG6010AESB i PMEG6010ESB parametry te wynoszą odpowiednio V_F=525 mV/I_R=185 μA i V_F=625 mV/I_R=9 μA.