Pierwsza na rynku pamięć Universal Flash Storage (UFS) 2.0 o pojemności 256 MB

Firma Samsung Electronics zaprezentowała pierwszą 256-megabajtową pamięć bazującą na nowym standardzie Universal Flash Storage (UFS) 2.0, adresowaną do urządzeń mobilnych klasy high-end. Jest to pamięć szybsza od popularnych napędów SATA SSD dla komputerów stacjonarnych. Została zrealizowana w technologii V-NAND zapewniającej szybkość operacji wejścia/wyjścia wynoszącą odpowiednio 45 i 40 tys. IOPS dla odczytu i zapisu w trybie random, niemal dwukrotnie większą od pamięci UFS poprzedniej generacji.

Przy odczycie sekwencyjnym układ oferuje przepustowość 850 MB/s, niemal dwukrotnie większą od napędów SATA SSD, a przy zapisie sekwencyjnym 260 MB/s, niemal trzykrotnie większą od wysokiej jakości kart micro SD.

Pozwala to np. na płynne odtwarzanie filmów Ultra HD 4K na dzielonym ekranie, równocześnie z przeszukiwaniem czy pobieraniem klipów wideo. Pojemność 256 GB wystarcza na zapis niemal 50 filmów w rozdzielczości Full HD. Jeśli chodzi o wymiary układu, oferuje on większy współczynnik pojemność/objętość od kart micro SD.