N-kanałowe tranzystory MOSFET

MOSFETy o wydajności prądowej do 240A w standardowych obudowach TO-220/D2Pak/TO-262

Firma International Rectifier wprowadziła do oferty 12 nowych N-kanałowych tranzystorów MOSFET dużej mocy, charakteryzujących się zwiększoną o 60% gęstością prądu w stosunku do wcześniejszych modeli. Tranzystory te są produkowane w standardowych obudowach TO-220, TO-262 i D²Pak. Osiągają wydajność prądową nawet do 240A. Są polecane do zastosowań w zasilaczach, układach napędowych silników DC dużej mocy i elektronarzędziach. Obok dużej wydajności prądowej odznaczają się bardzo małą rezystancją R_DS(on) od 2,1mΩ. Są produkowane na zakres napięć przebicia od 60 do 200V.