Nowe małostratne tranzystory IGBT 1200 V bazujące na 3. generacji technologii Ultra Field Stop
ON Semiconductor rozszerza ofertę tranzystorów IGBT o trzy nowe modele wchodzące w skad rodziny NGTB, bazujące na 3. generacji technologii Ultra Field Stop. Charakteryzują się one zmniejszonymi stratami przy pracy impulsowej (Ets).
NGTB40N120FL3WG i NGTB25N120FL3WG, polecane do zastosowań w zasilaczach UPS i falownikach systemów fotowoltaicznych charakteryzują się napięciem VCE(sat) równym 1,7 V (przy prądzie znamionowym), dopuszczalnym prądem kolektora odpowiednio 40 A i 25 A oraz stratami impulsowymi wynoszącymi odpowiednio 2,7 mJ i 1,7 mJ.
NGTB40N120L3WG to tranzystor polecany do układów napędowych. Pracuje z maksymalnym prądem kolektora 40 A. Jego napięcie nasycenia wynosi 1,55 V, a straty impulsowe około 3 mJ. Wszystkie trzy modele są produkowane w obudowach TO-247.
Mogą pracować w zakresie temperatur złącza do +175°C. Ceny hurtowe NGTB40N120FL3WG, NGTB25N120FL3WG i NGTB40N120L3WG wynoszą odpowiednio 2,02, 1,76 i 2,12 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
