Tranzystory MOSFET 2-in-1 do przełączania obciążeń w urządzeniach mobilnych

Toshiba Electronics Europe dodaje do oferty dwa nowe tranzystory MOSFET 2-in-1 przeznaczone do przełączania obciążeń w urządzeniach mobilnych: SSM6L61NU i SSM6N61NU. Oba są zamykane w identycznych, małogabarytowych obudowach SOT-1118 (UDFN6) o powierzchni montażowej wynoszącej zaledwie 2 x 2 mm i bardzo dobrych właściwościach termicznych.

Charakteryzują się małą rezystancją R_DS(on), wynoszącą typowo 25 mΩ dla V_GS=4,5 V w przypadku tranzystora n-kanałowego. Różnią się konfiguracją: struktura SSM6L61NU obejmuje parę tranzystorów komplementarnych, a SSM6N61NU zawiera dwa tranzystory n-kanałowe. W obu przypadkach maksymalna moc strat wynosi 1 W.