Tranzystory MOSFET SuperFET III o dużej sprawności i niezawodności

Firma Fairchild, będąca obecnie częścią ON Semiconductor, poinformowała o wprowadzeniu do oferty nowej rodziny superzłączowych tranzystorów MOSFET SuperFET III o dużej sprawności i niezawodności. Są to tranzystory n-kanałowe o napięciu przebicia 650 V, adresowane do układów zasilania aplikacji telekomunikacyjnych i serwerów, ładowarek pojazdów o napędzie elektrycznym oraz instalacji solarnych.

Poza dużą sprawnością i niezawodnością wykazują też mały poziom generowanych zaburzeń EMI i bardzo dobre właściwości termiczne. Tranzystory MOSFET SuperFET III są produkowane obecnie w obudowach, D2Pak, TO-220 i TO-247.

Wykazują niemal dwukrotnie mniejszą rezystancję RDS(on) od wcześniejszej generacji 600-woltowych tranzystorów SuperFET II produkowanych w tych samych typach obudów.

Wytrzymują trzykrotnie większą energię impulsu podczas przebicia lawinowego (EAS) od najbliższego odpowiednika. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy rozciąga się od -55 do +150°C.

Oznaczenie maks. RDS(on) @ VGS=10 V typ. Qg @ VGS=10 V ID Obudowa
FCH023N65S3L4 23 mΩ 222 nC 65,8 A @ 100°C TO-247 4L
FCH023N65S3 23 mΩ 222 nC 65,8 A @ 100°C TO-247 3L
FCH067N65S3 67 mΩ 78 nC 28 A @ 100°C TO-247 3L
FCP067N65S3 67 mΩ 78 nC 28 A @ 100°C TO-220 3L
FCPF067N65S3 67 mΩ 78 nC 28 A @ 100°C TO-220F 3L
FCB070N65S3 70 mΩ 78 nC 28 A @ 100°C TO-263 2L (D2-PAK)

Zapytania ofertowe
Tranzystory MOSFET SuperFET III o dużej sprawności i niezawodności
Zapytanie ofertowe