Tranzystory MOSFET SuperFET III o dużej sprawności i niezawodności
Firma Fairchild, będąca obecnie częścią ON Semiconductor, poinformowała o wprowadzeniu do oferty nowej rodziny superzłączowych tranzystorów MOSFET SuperFET III o dużej sprawności i niezawodności. Są to tranzystory n-kanałowe o napięciu przebicia 650 V, adresowane do układów zasilania aplikacji telekomunikacyjnych i serwerów, ładowarek pojazdów o napędzie elektrycznym oraz instalacji solarnych.
Poza dużą sprawnością i niezawodnością wykazują też mały poziom generowanych zaburzeń EMI i bardzo dobre właściwości termiczne. Tranzystory MOSFET SuperFET III są produkowane obecnie w obudowach, D2Pak, TO-220 i TO-247.
Wykazują niemal dwukrotnie mniejszą rezystancję RDS(on) od wcześniejszej generacji 600-woltowych tranzystorów SuperFET II produkowanych w tych samych typach obudów.
Wytrzymują trzykrotnie większą energię impulsu podczas przebicia lawinowego (EAS) od najbliższego odpowiednika. Ich zakres dopuszczalnych temperatur pracy rozciąga się od -55 do +150°C.
Oznaczenie | maks. RDS(on) @ VGS=10 V | typ. Qg @ VGS=10 V | ID | Obudowa |
FCH023N65S3L4 | 23 mΩ | 222 nC | 65,8 A @ 100°C | TO-247 4L |
FCH023N65S3 | 23 mΩ | 222 nC | 65,8 A @ 100°C | TO-247 3L |
FCH067N65S3 | 67 mΩ | 78 nC | 28 A @ 100°C | TO-247 3L |
FCP067N65S3 | 67 mΩ | 78 nC | 28 A @ 100°C | TO-220 3L |
FCPF067N65S3 | 67 mΩ | 78 nC | 28 A @ 100°C | TO-220F 3L |
FCB070N65S3 | 70 mΩ | 78 nC | 28 A @ 100°C | TO-263 2L (D2-PAK) |