Wysokonapięciowe MOSFETy o napięciach przebicia 950...1050 V z szybką diodą regeneracyjną

Do oferty STMicroelectronics wchodzi nowa rodzina wysokonapięciowych, superzłączowych tranzystorów MOSFET o napięciach przebicia od 950 do 1050 V, zawierających wbudowaną szybką diodę regeneracyjną. Są one adresowane do konwerterów DC-DC od których wymaga się dużej gęstości mocy i dużej sprawności energetycznej, w tym konwerterów rezonansowych LLC ZVS (Zero-Voltage Switching).

Zastosowana w przypadku tranzystorów MDmesh DK5 superzłączowa technologia produkcji pozwoliła na obniżenie rezystancji R_DS(on) i zapewnienie dużego współczynnika prądu do powierzchni struktury krzemowej w porównaniu ze standardowymi tranzystorami MOSFET, co pozwala na wykorzystanie mniejszej liczby tranzystorów pracujących równolegle w dużych systemach zasilania, np. w systemach telekomunikacyjnych i centrach danych, a także w spawarkach, generatorach plazmy, wysokoczęstotliwościowych grzejnikach indukcyjnych i detektorach rentgenowskich.

W porównaniu z dostępnymi wcześniej na rynku tranzystorami MOSFET z szybką diodą regeneracyjną, nowe tranzystory MD5 zapewniają krótszy czas regeneracji, mniejszą rezystancję R_DS(on) i mniejszy ładunek bramki.

Jako tranzystory superzłączowe, charakteryzują się też małą pojemnością wejściową i wyjściową. Występują w 6 wersjach zamykanych w 4 wariantach obudów: TO-247, TO-247 Long-Lead, Max247 i ISOTOP. Ich ceny hurtowe zaczynają się od 8,85 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.