Nowe tranzystory MOSFET OptiMOS Linear firmy Infineon wyróżniają się o małą rezystancją RDS(on), typową dla tranzystorów MOSFET typu Trench oraz szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA), typowym dla planarnych tranzystorów MOSFET.
Cecha ta pozwala pogodzić wymogi odnośnie małej rezystancji przewodzenia i możliwości pracy w trybie liniowym. Tranzystory OptiMOS Linear mogą pracować w obszarze nasycenia wzbogacanego tranzystora MOSFET.
Nadają się do zastosowań w układach hot-swap, e-fuse i aplikacjach zabezpieczających, stosowanych typowo w telekomunikacji i systemach zarządzania zasilaniem.
Obecnie ich oferta obejmuje wersje o napięciach znamionowych 100, 150 i 200 V produkowane w obudowach D²PAK 3- i 7-wyprowadzeniowych.
| Napięcie znamionowe | Obudowa | Oznaczenie | RDS(on) (maks.) @ VGS=10 V |
SOA @ 56 V, 10 ms |
| 100 V | D²PAK (7-pin) | IPB017N10N5LF | 1,7 mΩ | 10,2 A |
| D²PAK | IPB020N10N5LF | 2,0 mΩ | 10,2 A | |
| D²PAK | IPB033N10N5LF | 3,3 mΩ | 7,0 A | |
| 150 V | D²PAK | IPB048N15N5LF | 4,8 mΩ | 10,8 A |
| D²PAK | IPB083N15N5LF | 8,3 mΩ | 5,6 A | |
| 200 V | D²PAK | IPB110N20N3LF | 11 mΩ | 8,7 A |