Tranzystory MOSFET OptiMOS Linear o małej rezystancji RDS(on) i szerokim obszarze SOA

Infineon Technologies AG
Produkt firmy:
Infineon Technologies AG

Nowe tranzystory MOSFET OptiMOS Linear firmy Infineon wyróżniają się o małą rezystancją RDS(on), typową dla tranzystorów MOSFET typu Trench oraz szerokim obszarem bezpiecznej pracy (SOA), typowym dla planarnych tranzystorów MOSFET.

Cecha ta pozwala pogodzić wymogi odnośnie małej rezystancji przewodzenia i możliwości pracy w trybie liniowym. Tranzystory OptiMOS Linear mogą pracować w obszarze nasycenia wzbogacanego tranzystora MOSFET.

Nadają się do zastosowań w układach hot-swap, e-fuse i aplikacjach zabezpieczających, stosowanych typowo w telekomunikacji i systemach zarządzania zasilaniem.

Obecnie ich oferta obejmuje wersje o napięciach znamionowych 100, 150 i 200 V produkowane w obudowach D²PAK 3- i 7-wyprowadzeniowych.

Napięcie znamionowe Obudowa Oznaczenie RDS(on) (maks.)
@ VGS=10 V
SOA
@ 56 V, 10 ms
100 V D²PAK (7-pin) IPB017N10N5LF 1,7 mΩ 10,2 A
D²PAK IPB020N10N5LF 2,0 mΩ 10,2 A
D²PAK IPB033N10N5LF 3,3 mΩ 7,0 A
150 V D²PAK IPB048N15N5LF 4,8 mΩ 10,8 A
D²PAK IPB083N15N5LF 8,3 mΩ 5,6 A
200 V D²PAK IPB110N20N3LF 11 mΩ 8,7 A