Samochodowe tranzystory superzłączowe MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Najnowsze superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny Trench 9 z oferty Nexperia, zamykane w obudowach LFPAK56/56E charakteryzują się rezystancją RDS(on) zredukowaną nawet o 30% w porównaniu z wcześniejszymi wersjami. Są to tranzystory zaprojektowane specjalnie do zastosowań w elektronice samochodowej, łączące niskonapięciową technologię superzłączową z zaawansowanym projektem obudowy.
Są zgodne z AEC-Q101, a w kluczowych testach niezawodnościowych zapewniają nawet dwukrotnie dłuższy czas bezawaryjnej pracy od wymogów tego standardu. LFPAK56E jest najnowszą innowacją w rodzinie obudów LFPAK firmy Nexperia. Jest to wersja \"enhanced\" popularnej obudowy LFPAK56, która dzięki zoptymalizowanej ramce konstrukcyjnej pozwala zmniejszyć RDS(on) i zwiększyć gęstość mocy nawet do 30%.
Otwiera to znacznie szerszy zakres zastosowań tranzystorów Trench 9 LFPAK56 w obszarach zarezerwowanych wcześniej wyłącznie dla wersji w obudowach D2Pak i D2Pak-7, co oznacza znaczną oszczędność powierzchni płytek drukowanych.
Co więcej, technologia superzłączowa firmy Nexperia pozwala osiągnąć szerszy zakres bezpiecznej pracy (SOA) i większą odporność na przebicie lawinowe od innych stosowanych obecnie technologii, co zmniejsza podatność na uszkodzenia w krytycznych warunkach pracy tranzystora.
Zakres zastosowań nowych tranzystorów Trench 9 obejmuje układy sterowania silników szczotkowych i bezszczotkowych w układzie wspomagania kierownicy, ABS, ESC, pompach, układach sterowania prędkością obrotową wentylatorów oraz w przetwornicach DC-DC i obwodach zabezpieczających przed odwróceniem polaryzacji zasilania.
Obudowa | maks. RDS(on) @ 10 V | maks. ID @ 25°C | maks. Rth(j-mb) | |
BUK7J1R4-40H | LFPAK56E | 1,4 mΩ | 120 A | 0,38 k/W |
BUK7Y1R7-40H | LFPAK56 | 1,7 mΩ | 120 A | 0,51 k/W |
BUK7Y2R0-40H | LFPAK56 | 2,0 mΩ | 120 A | 0,69 k/W |
BUK7Y2R5-40H | LFPAK56 | 2,5 mΩ | 120 A | 0,92 k/W |
BUK7Y3R0-40H | LFPAK56 | 3,0 mΩ | 120 A | 1,13 k/W |
BUK7Y3R5-40H | LFPAK56 | 3,5 mΩ | 120 A | 1,3 k/W |