Samochodowe tranzystory superzłączowe MOSFET o małej rezystancji RDS(on)

Najnowsze superzłączowe tranzystory MOSFET rodziny Trench 9 z oferty Nexperia, zamykane w obudowach LFPAK56/56E charakteryzują się rezystancją RDS(on) zredukowaną nawet o 30% w porównaniu z wcześniejszymi wersjami. Są to tranzystory zaprojektowane specjalnie do zastosowań w elektronice samochodowej, łączące niskonapięciową technologię superzłączową z zaawansowanym projektem obudowy.

Są zgodne z AEC-Q101, a w kluczowych testach niezawodnościowych zapewniają nawet dwukrotnie dłuższy czas bezawaryjnej pracy od wymogów tego standardu. LFPAK56E jest najnowszą innowacją w rodzinie obudów LFPAK firmy Nexperia. Jest to wersja \"enhanced\" popularnej obudowy LFPAK56, która dzięki zoptymalizowanej ramce konstrukcyjnej pozwala zmniejszyć RDS(on) i zwiększyć gęstość mocy nawet do 30%.

Otwiera to znacznie szerszy zakres zastosowań tranzystorów Trench 9 LFPAK56 w obszarach zarezerwowanych wcześniej wyłącznie dla wersji w obudowach D2Pak i D2Pak-7, co oznacza znaczną oszczędność powierzchni płytek drukowanych.

Co więcej, technologia superzłączowa firmy Nexperia pozwala osiągnąć szerszy zakres bezpiecznej pracy (SOA) i większą odporność na przebicie lawinowe od innych stosowanych obecnie technologii, co zmniejsza podatność na uszkodzenia w krytycznych warunkach pracy tranzystora.

Zakres zastosowań nowych tranzystorów Trench 9 obejmuje układy sterowania silników szczotkowych i bezszczotkowych w układzie wspomagania kierownicy, ABS, ESC, pompach, układach sterowania prędkością obrotową wentylatorów oraz w przetwornicach DC-DC i obwodach zabezpieczających przed odwróceniem polaryzacji zasilania.

Obudowa maks. RDS(on) @ 10 V maks. ID @ 25°C maks. Rth(j-mb)
BUK7J1R4-40H LFPAK56E 1,4 mΩ 120 A 0,38 k/W
BUK7Y1R7-40H LFPAK56 1,7 mΩ 120 A 0,51 k/W
BUK7Y2R0-40H LFPAK56 2,0 mΩ 120 A 0,69 k/W
BUK7Y2R5-40H LFPAK56 2,5 mΩ 120 A 0,92 k/W
BUK7Y3R0-40H LFPAK56 3,0 mΩ 120 A 1,13 k/W
BUK7Y3R5-40H LFPAK56 3,5 mΩ 120 A 1,3 k/W

Zapytania ofertowe
Samochodowe tranzystory superzłączowe MOSFET o małej rezystancji RDS(on)
Zapytanie ofertowe