Tranzystory PMOS STD150N3LLH6 i STL150N3LLH6

30-woltowe tranzystory mocy o rezystancji R_DS(ON) równej 1,6mΩ

STMicroelectronics wprowadza do oferty nową generację tranzystorów mocy produkowanych w procesie technologicznym STripFET VI DeepGATE. Technologia ta pozwoliła uzyskać dużą gęstość komórek i małą rezystancję R_DS(ON) w przeliczeniu na aktywną powierzchnię krzemu, co w konsekwencji oznacza większą gęstość mocy w przetwornicach DC-DC i innych układach impulsowych.

W przypadku tranzystorów 30-woltowych produkowanych w obudowach PowerFLAT o powierzchni 5 x 6mm rezystancja R_DS(ON) została zmniejszona do poziomu 1,6mΩ. Jest to mniej o 20% w stosunku do tranzystorów wcześniejszej generacji. Drugą istotną zaletą procesu STripFET VI DeepGATE jest mały ładunek bramki, co oznacza możliwość pracy z większą częstotliwością przełączania i korzystanie z mniejszych elementów reaktancyjnych.

Pierwszym tranzystorem nowej rodziny jest STL150N3LLH6 zamykany w obudowie PowerFLAT (5 x 6mm), charakteryzujący się najmniejszą rezystancją R_DS(ON) w przeliczeniu na powierzchnię aktywną. Firma wprowadziła też na rynek tranzystor STD150N3LLH6 zamykany w obudowie DPAK, którego rezystancja R_DS(ON) wynosi 2,4mΩ. Ceny hurtowe STD150N3LLH6 i STL150N3LLH6 wynoszą odpowiednio 1,20 USD i 1,50 USD przy zamówieniach 2500 sztuk.