Podwójne MOSFETy DMS2220LFDB i DMS2120LFW

Podwójny MOSFET 20V/86mΩ w obudowie DFN 2 x 2mm

Firma Diodes opracowała dwa podwójne tranzystory P-MOS zamykane w miniaturowych obudowach DFN: DMS2220LFDB i DMS2120LFW o powierzchni 2 x 2mm oraz 3 x 2mm. Ich grubość wynosi zaledwie 0,5mm. Są to tranzystory przeznaczone do zastosowań jako elementy przełączające w urządzeniach bateryjnych.

Wykazują minimalne straty zarówno przy przewodzeniu, jak i przełączaniu. Charakteryzują się napięciem przebicia 20V, małym ładunkiem bramki i rezystancją R_GS(ON) równą 86mΩ przy V_GS=1,8V. Sprawność energetyczną poprawia dodatkowo wewnętrzna dioda prostownicza o napięciu przewodzenia 0,42V.