Tranzystor DirectFET 25V o rezystancji kanału 0,5mW
W najnowszym tranzystorze IRF6718 rodziny DirectFET (International Rectifier) uzyskano rezystancję RDS(on) wynoszącą zaledwie 0,5mW przy VGS=10V. Jest to tranzystor przystosowany do przełączania napięć DC, którego powierzchnia i grubość obudowy jest mniejsza odpowiednio o 60% i 80% od standardu D2Pak.
W najnowszym tranzystorze IRF6718 rodziny DirectFET (International Rectifier) uzyskano rezystancję RDS(on) wynoszącą zaledwie 0,5mW przy VGS=10V. Jest to tranzystor przystosowany do przełączania napięć DC, którego powierzchnia i grubość obudowy jest mniejsza odpowiednio o 60% i 80% od standardu D2Pak. Napięcie znamionowe wynosi 25V, a dopuszczalny prąd drenu to 61A w temperaturze +25°C.
Mała rezystancja RDS(on) oznacza mniejsze straty mocy i mniejsze wydzielanie ciepła, a w konsekwencji możliwość stosowania mniejszej liczby tranzystorów w wysokoprądowych układach zasilania, m.in. serwerów. Ważną zaletą IRF6718 jest ponadto rozszerzony zakres bezpiecznej pracy (SOA) mający istotne znaczenie m.in. w układach przełączających hot-swap. Ceny tranzystora wynoszą od 1,50 USD przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
|
Oznaczenie |
RDS(on) typ. @10V (mW) |
RDS(on) typ. @4,5V (mW) |
VGS (V) |
ID @ TA=25ºC (A) |
Powierzchnia obudowy (mm) |
|
IRF6718 |
0,5 |
1,0 |
±20 |
61 |
7 x 9,1 |
|
IRF6717 |
0,95 |
1,6 |
±20 |
38 |
4,9 x 6,3 |
|
IRF6713 |
2,2 |
3,5 |
±20 |
22 |
3,8 x 4,8 |
| Więcej na www.irf.com |
