Tranzystory SiR892DP i SiR850DP
25-woltowe tranzystory MOSFET o rezystancji kanału 1,7mΩ
Firma Vishay wprowadziła do oferty trzy 25-woltowe N-kanałowe tranzystory MOSFET zamykane w obudowach PowerPAK SO-8. Model SiR476DP charakteryzuje się bardzo małą rezystancją RDS(on) równą 1,7mΩ przy VGS=10V i 2,1mΩ przy VGS=4,5V. Jest produkowany w technologii Trench Gen III. Oprócz małej rezystancji drenu odznacza się też małym ładunkiem bramki zwiększającym prędkość przełączania i zmniejszającym straty mocy. W stosunku do najbliższych odpowiedników rezystancję RDS(on) ograniczono o 32% przy VGS=4,5V i 15% przy VGS=10V, a współczynnik FOM będący iloczynem ładunku bramki i rezystancji drenu ograniczono o 42%. SiR476DP jest polecany do zastosowań jako tranzystor low-side w synchronicznych przetwornicach DC-DC typu Buck. Jego małe straty na przełączanie i przewodzenie pozwalają zwiększyć sprawność i zmniejszyć powierzchnię płytki drukowanej.
Firma Vishay wprowadziła też do oferty 25-woltowe N-kanałowe tranzystory SiR892DP i SiR850DP charakteryzujące się rezystancją RDS(on) odpowiednio 4,2mΩ i 9mΩ przy VGS=2,4V oraz 3,2mΩ i 7mΩ przy VGS=10V. Ładunek bramki wynosi odpowiednio 20nC i 8,4nC. Podobnie, jak SiR476DP są produkowane w obudowach PowerPAK SO-8.
