Tranzystor FDZ391P
P-kanałowy tranzystor MOSFET w obudowie o grubości 0,4mm
W ofercie firmy Fairchild Semiconductor pojawił się niskoprofilowy P-kanałowy tranzystor MOSFET zamykany w obudowie WL-CSP, którego wymiary wynoszą zaledwie 1,0 x 1,5 x 0,4mm. FDZ391P charakteryzuje się napięciem przebicia 20V, dopuszczalnym prądem drenu 3A w trybie ciągłym i 15A w impulsie, dopuszczalnym napięciem VGS równą 8V oraz rezystancją RDS(on) nie przekraczającą 85mΩ przy VGS = -4,5V. FDZ391P może być sterowany niskim napięciem VGS, już od 1,5V. Został wykonany w procesie technologicznym PowerTrench. Zawiera wewnętrzną diodę regeneracyjną. Ceny hurtowe zaczynają się od 0,55 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
Więcej na www.fairchild.com |
W ofercie firmy Fairchild Semiconductor pojawił się niskoprofilowy P-kanałowy tranzystor MOSFET zamykany w obudowie WL-CSP, którego wymiary wynoszą zaledwie 1,0 x 1,5 x 0,4mm. FDZ391P charakteryzuje się napięciem przebicia 20V, dopuszczalnym prądem drenu 3A w trybie ciągłym i 15A w impulsie, dopuszczalnym napięciem VGS równą 8V oraz rezystancją RDS(on) nie przekraczającą 85mΩ przy VGS = -4,5V. FDZ391P może być sterowany niskim napięciem VGS, już od 1,5V. Został wykonany w procesie technologicznym PowerTrench. Zawiera wewnętrzną diodę regeneracyjną. Ceny hurtowe zaczynają się od 0,55 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
Więcej na www.fairchild.com |