Tranzystory w.cz. PowerBand

Szerokopasmowe tranzystory w.cz. dużej mocy rodziny PowerBand

Firma TriQuint Semiconductor zaprezentowała nową rodzinę tranzystorów w.cz. dużej mocy przeznaczonych do zastosowań w systemach szerokopasmowych, takich jak radary, nadajniki zakłócające czy systemy komunikacji bezprzewodowej. Tranzystory rodziny PowerBand zostały po raz pierwszy zaprezentowane na konferencji MILCOM w San Diego. Ich cechą charakterystyczną jest duża moc wyjściowa i duża sprawność uzyskiwane w szerokim zakresie częstotliwości. Tradycyjne tranzystory w.cz. dużej mocy pracują przy optymalnych parametrach jedynie w wąskim przedziale częstotliwości, przykładowo od 2,53 do 2,65 GHz. Poza tym pasmem ich parametry ulegają znacznemu pogorszeniu. W odróżnieniu od nich, tranzystory PowerBand wykazują dużą moc wyjściową (do 50W) i dużą sprawność (PAE > 50%) w szerokim zakresie częstotliwości, np. od 500 MHz do 3 GHz. Pojedynczy wzmacniacz zrealizowany na tranzystorze PowerBand pokrywa pełne pasmo, do którego pokrycia wymagane są zazwyczaj co najmniej 3 linie wzmacniające zawierające po 2-4 tradycyjne tranzystory w.cz. dużej mocy. Oznacza to, że w typowej aplikacji szerokopasmowej 2-4 tranzystory PowerBand pozwalają zastąpić 6-12 konwencjonalnych tranzystorów.

Technologia PowerBand jest niezwykle elastyczna i może być zaimplementowana w różnych procesach produkcyjnych, m.in. GaAs, GaN i RF LDMOS. Obecnie dostępnych jest 6 pierwszych tranzystorów PowerBand oferowanych wraz z zestawami ewaluacyjnymi. Charakteryzują się mocą wyjściową 10-50W, napięciem znamionowym 12-28V i pasmem od 500 MHz do maksymalnie 3 GHz.