Tranzystor MOSFET TC6215TG

Podwójny N- i P-kanałowy tranzystor MOSFET o małym napięciu progowym

TC6215TG to podwójny N- i P-kanałowy tranzystor MOSFET zamykany w obudowie SOIC-8. Charakteryzuje się dużym napięciem przebicia (±150V) i małym napięciem progowym (1,0...2,0V), umożliwiającym sterowanie bramek tranzystorów bezpośrednio z wyjść układów logicznych. Katalogowa rezystancja R_RDS(on) jest specyfikowana (gwarantowana) dla napięcia bramki wynoszącego już od 4V. Oba tranzystory zawierają wewnętrzne diody Zenera back-to-back. Są wzajemnie odizolowane elektrycznie.

TC6215TG jest polecany do zastosowań w różnego typu aplikacjach przełączających i wzmacniających, gdzie wymagane jest niskie napięcie progowe tranzystora, wysokie napięcie przebicia, duża impedancja wejściowa, mała pojemność wejściowa i krótkie czasy przełączania.

Ważniejsze parametry:

• R_RDS(on): 4,0Ω (N-kan.) i 7,0Ω (P-kan.),
• BV_DSS (min.): ±150V,
• V_GS (maks.): ±20V,
• I_D (maks.): 3,8A (N-kan.) i 3,0A (P-kan.),
• t_R/t_F: typ. 2,3ns/11,3ns,
• t_RR: typ. 90ns (N-kan.) i 80ns (P-kan.).