Tranzystory MOSFET SiS426DN, SiR496DP, Si7718DN, Si7784DP

N-kanałowe tranzystory MOSFET 20/30V o małych stratach na przełączanie

Vishay Siliconix wprowadza do oferty cztery N-kanałowe tranzystory MOSFET o napięciach znamionowych 20V i 30V zamykane w obudowach PowerPAK 1212-8. Charakteryzują się krótkimi czasami przełączania i małymi stratami mocy przy pracy impulsowej. Małe straty mocy przy pracy impulsowej wynikają ze zredukowania współczynnika FOM będącego iloczynem ładunku bramki i rezystancji drenu w stanie ON (FOM=Qg*R_DS(on)). Współczynnik ten wynosi 76,6 mΩ*nC przy napięciu bramka-źródło (V_GS) równym 4,5 V oraz 117,60 mΩ*nC przy napięciu bramka-źródło równym 10V.

Model SiS426DN charakteryzuje się w chwili obecnej najmniejszym współczynnikiem FOM spośród wszystkich dostępnych na rynku tranzystorów o napięciu znamionowym 20V, produkowanych w obudowach o rozmiarach 1212 (3 x 3mm). Typowa wartość ładunku bramki wynosi w jego przypadku 13,2nC przy napięciu V_GS równym 4,5V i 28nC przy napięciu VGS równym 10V. W stosunku do najbliższego odpowiednika są to wartości mniejsze o odpowiednio 45% (4,5V) i 36% (10V), natomiast współczynnik FOM jest mniejszy o 50%. Mniejszy ładunek bramki oznacza bardziej efektywne przełączanie tranzystora i możliwość pracy z większymi częstotliwościami, a w konsekwencji możliwość stosowania mniejszych podzespołów pasywnych.

Nowa oferta Vishay obejmuje cztery typy tranzystorów: SiS426DN, SiR496DP, Si7718DN i Si7784DP. Parametry elektryczne podano w tabeli. Zakres zastosowań obejmuje przede wszystkim różnego rodzaju moduły konwersji mocy.