Tranzystory MOSFET dużej mocy serii NP

Niskonapięciowe tranzystory MOSFET dużej mocy w obudowach TO-252ZP

Gleichmann Electronics rozszerza ofertę tranzystorów MOSFET dużej mocy o 7 nowych tranzystorów produkcji NEC Electronics: NP90N03VUG, NP90N04VUG, NP90N055VUG, NP90N04VDG, NP90N04VLG, NP90N055VDG i NP90N06VLG. Są to tranzystory zamykane w obudowach TO-252ZP, których parametry elektryczne osiągalne były dotąd jedynie w przypadku tranzystorów produkowanych w znacznie większych obudowach D2Pak (TO-263).

Charakteryzują się dopuszczalnym prądem drenu 90A, napięciem przebicia 30, 40, 50 lub 70V i zakresem rezystancji R_DS(on) od 3,2mΩ do 7,8mΩ. Podobnie, jak pozostałe tranzystory serii NP uzyskały kwalifikację samochodową AEC-Q101. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze kanału wynoszącej +175ºC.