Tranzystor P-MOS Si7137DP

P-kanałowy tranzystor MOSFET dużej mocy o rezystancji kanału 1,9mΩ@10V

Vishay Intertechnology wprowadza na rynek p-kanałowy tranzystor MOSFET dużej mocy Si7137DP charakteryzujący się najmniejszą rezystancją kanału wśród podobnych tranzystorów zamykanych w obudowach SO-8. Jest to tranzystor o napięciu znamionowym 20V, przeznaczony do zastosowań przede wszystkim w charakterze przełącznika zasilania.

Jego rezystancja R_DS(on) wynosi 1,9mΩ przy napięciu V_GS równym 10V i 2,5mΩ przy 4,5V i 3,9mΩ przy 2,5V. Dla porównania, najbliższy odpowiednik o napięciu znamionowym 20V i napięciu V_GS powyżej 12V wykazuje rezystancję R_DS(on) równą aż 14mΩ@V_GS=4,5V. Z kolei dla 30-woltowych tranzystorów P-MOS produkowanych w obudowach SO-8 rezystancja R_DS(on) przy napięciu bramki 10V i 4,5V wynosi odpowiednio 3,5mΩ i 6,3mΩ - dwukrotnie więcej niż dla Si7137DP.