Podzespoły energoelektroniczne
Dyskowe diody spawalnicze o małych stratach i dużym prądzie przewodzenia
Infineon oferuje nową generację diod spawalniczych o mniejszych stratach, większym dopuszczalnym prądzie przewodzenia i większej niezawodności od wcześniejszych wersji. Do oferty firmy wchodzą cztery nowe modele: 38DN06B02 (Ø38 x 4 mm), 46DN06B02 (Ø46 x 4,1 mm), 56DN06B02 (Ø56 x 5 mm) i 65DN06B02 (Ø65 x 4,9 mm) o dopuszczalnym napięciu wstecznym 600 V i dopuszczalnym ciągłym prądzie przewodzenia wynoszącym odpowiednio 5820, 5100, 10300 i 12810 A w temperaturze +100°C.
Źródła zasilania
Tanie 8-watowe konwertery DC-DC formatu 25,8 x 25,8 mm do aplikacji e-mobility
W ofercie firmy Recom pojawiła się seria tanich 8-watowych konwerterów DC-DC formatu 25,8 x 25,8 mm, mogących znaleźć zastosowanie w aparaturze pomiarowej oraz aplikacjach e-mobility i innych, korzystających z 48-woltowych akumulatorów litowo-jonowych. Są one zgodne ze specyfikacją LV 148, określającą wymogi odnośnie 48-woltowych systemów zasilania stosowanych w pojazdach.
Podzespoły półprzewodnikowe
650-woltowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET/IGBT odporny na przepięcia ujemne do -100 V
Oferta układów EiceDRIVER firmy Infineon do sterowania bramkami tranzystorów MOSFET i IGBT powiększyła się o kolejny układ. 2ED2110S06M to sterownik półmostkowy o napięciu znamionowym 650 V, zrealizowany w technologii SOI, zawierający wewnętrzne sterowniki tranzystorów high-side i low-side oraz diodę bootstrap. Zapewnia odporność na powtarzające się przepięcia ujemne do -100 V o szerokości 300 ns.
Podzespoły półprzewodnikowe
Niskoprofilowe regulatory LDO o małych szumach i dużej dokładności stabilizacji napięcia
Regulatory LDO nowej serii TCR5RG firmy Toshiba wyróżniają się małymi szumami w sygnale wyjściowym i dużą dokładnością stabilizacji napięcia. Są to regulatory uniwersalne o bardzo małych wymiarach, wynoszących zaledwie 0,645 x 0,645 x 0,33 mm, pracujące w zakresie napięć wejściowych 1,8...5,5 V. Są produkowane w 45 wersjach o zaprogramowanym fabrycznie napięciu wyjściowym, mogącym wynosić od 0,9 do 5,0 V w krokach co 0,025...0,1 V. Pracują z maksymalnym prądem wyjściowym 500 mA.
Podzespoły energoelektroniczne
Zintegrowane stopnie mocy VRPower DrMOS o wydajności prądowej do 100 A
Zintegrowane stopnie mocy VRPower DrMOS firmy Vishay mogą znaleźć zastosowanie w układach zasilania kart graficznych i mikroprocesorów najnowszej generacji oraz w infrastrukturze telekomunikacyjnej 5G, zapewniając duży prąd wyjściowy, dużą sprawność i dużą gęstość mocy. Ich struktura obejmuje wysokoprądowe, małostratne tranzystory MOSFET TrenchFET Gen IV zintegrowane z układem sterowania oraz czujnikami prądu i temperatury.
Źródła zasilania
Tani 100-watowy konwerter DC-DC formatu 1/16 Brick do zastosowań w telekomunikacji
PKU4913D, najnowszy konwerter DC-DC rodziny PKU-D, wyróżnia się korzystnym współczynnikiem parametrów do ceny. Jest konwerterem izolowanym (2250 V), zaprojektowanym do zastosowań w telekomunikacji, zamykanym w niskoprofilowej obudowie formatu 1/16 Brick o wymiarach 33,0 x 22,9 x 11,3 mm. Nadaje się do pracy w zakresie temperatury otoczenia od -40 do +125°C.
Źródła zasilania
20-watowe konwertery DC-DC do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych
20-watowe konwertery DC-DC nowej serii THN 20WIR zostały zaprojektowane do pracy w ciężkich warunkach środowiskowych. Uzyskały zatwierdzenie EN 50155 i EN 61373 do zastosowań w taborze kolejowym. Ponadto, spełniają wymogi normy EN 45545-2 w zakresie zagrożenia pożarowego oraz IEC/EN 62368-1 i UL62368-1 w zakresie bezpieczeństwa użytkowania. Mogą pracować w zakresie temperatury otoczenia od -40 do +65°C z pełną mocą wyjściową. Zapewniają izolację do 3000 VDC między wejściem i wyjściem oraz zawierają zabezpieczenie przeciążeniowe, podnapięciowe, nadnapięciowe i zwarciowe. Ponadto, do ich zalet należy aluminiowa obudowa, zapewniająca ochronę przed zaburzeniami elektromagnetycznymi oraz duża odporność na udary/wibracje mechaniczne i gwałtowne zmiany temperatury.
Podzespoły energoelektroniczne
Przemysłowy moduł SiC MOSFET o dużej sprawności i małych gabarytach
Toshiba Electronics powiększa ofertę podzespołów półprzewodnikowych o dużej szerokości pasma zabronionego o małogabarytowy moduł SiC MOSFET o dużej sprawności, oznaczony symbolem MG800FXF2YMS3. Jest to moduł dwukanałowy o napięciu przebicia 3300 V, zrealizowany na bazie tranzystorów o dopuszczalnym prądzie drenu 800 A. Został on zaprojektowany do zastosowań w przemysłowych układach napędowych, falownikach w systemach fotowoltaicznych oraz falownikach w infrastrukturze kolejowej.
Źródła zasilania
Nowe serie przemysłowych zasilaczy sieciowych na zakres mocy znamionowych od 35 do 350 W
Do oferty firmy CUI wchodzą trzy nowe serie zasilaczy sieciowych, stanowiących rozszerzenie rodziny VGS. Są to zasilacze jednowyjściowe, przeznaczone do montażu w szafach przemysłowych. Charakteryzują się małym poborem prądu przy braku obciążenia i szerokim zakresem temperatury pracy, wynoszącym od -30 do +70°C dla większości modeli. Uzyskały certyfikat bezpieczeństwa 62368-1.