Zasilanie / Produkty

Titanium jest najwyższą specyfikacją 80 PLUS, wymagającą zapewnienia sprawności przekraczającej 91% przy pełnym obciążeniu oraz >96% przy obciążeniu 50%. Osiągnięcie tego w aplikacjach serwerowych pracujących z mocą 2...10 kW, przy użyciu konwencjonalnych komponentów krzemowych, jest trudne. Nexperia zaprojektowała do tego typu zastosowań dwa nowe tranzystory GaN FET 2. generacji o napięciu znamionowym 650 V, zamykane w obudowach TO-247.

W większości produkowanych obecnie modułów IPM priorytetem jest zapewnienie maksymalnej sprawności energetycznej, co często odbywa się kosztem zwiększenia poziomu generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Problem ten pozwalają rozwiązać moduły IPM nowej serii BM6437x z oferty firmy Rohm, charakteryzujące się równocześnie małym poziomem generowanych zaburzeń elektromagnetycznych i małymi stratami.

BMR474 to najnowszy nieizolowany regulator napięcia PoL (Point of Load) z oferty firmy Flex Power Modules, oferujący wydajność prądową 80 A przy wymiarach wynoszących zaledwie 33 x 8,6 x 19 mm. Jest on przystosowany do montażu pionowego, co zmniejsza wymaganą powierzchnię płytki drukowanej. Umożliwia zasilanie obciążenia maksymalną mocą 198 W i zapewnia sprawność energetyczną sięgającą nawet 95,1% przy pełnym obciążeniu (dla VIN=12 V i VOUT=3,3 V).

Do rodziny 1200-woltowych modułów mocy firmy Infineon wchodzi nowy model EasyPACK 2B zrealizowany w 3-poziomowej topologii Active NPC na tranzystorach CoolSiC MOSFET i TRENCHSTOP IGBT7. Jego struktura obejmuje też czujnik temperatury NTC. F3L11MR12W2M1_B74 jest polecany do zastosowań w szybkich aplikacjach impulsowych, m.in. systemach gromadzenia energii. Pozwala też zwiększyć gęstość mocy i sprawność energetyczną w instalacjach solarnych.

Richardson RFPD powiększa rodzinę 650-woltowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji o trzy tanie modele o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ. Są one oferowane w cenie hurtowej 3,9 USD przy zamówieniach 100 sztuk, kilkakrotnie niższej od wcześniejszych wersji o bardziej wyśrubowanych parametrach.

Firma Infineon zaprezentowała dwa projekty referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek, wykonanych na bazie podzespołów z własnej oferty. Mogą być one wykorzystywane jako podstawa do realizacji własnych projektów opartych na komponentach produkowanych przez Infineon. Ze względu na sprawdzoną konstrukcję, pozwalają w znacznym stopniu skrócić czas projektowania i ograniczyć ryzyko popełnienia błędów.

Nowy 2-amperowy przełącznik zasilania z kontrolą slew-rate, opracowany przez firmę Diodes, zapewnia ochronę przed dużymi impulsami prądu rozruchowego. AP22916 to miniaturowy układ zamykany w obudowie SMD chip-scale o wymiarach zaledwie 0,78 x 0,78 x 0,45 mm, mogący pracować z maksymalnym prądem wyjściowym równym 2 A. Jego rezystancja wewnętrzna wynosi 60 mΩ przy napięciu wejściowym 5 V.

Renesas wprowadza na rynek dwa nowe moduły SiP ułatwiające projektowanie układów sterowania 3-fazowymi silnikami BLDC w elektronarzędziach, dronach, robotach, odkurzaczach automatycznych i innych urządzeniach zasilanych z akumulatora: RAJ306001 i RAJ306010. Oba układy zapewniają bardziej precyzyjną kontrolę w szerokim zakresie prędkości obrotowych w porównaniu z wcześniejszymi wersjami, a równocześnie wymagają mniejszej powierzchni płytki drukowanej. Zawierają mikrokontroler i stopień sterujący, zamknięte w obudowie QFN o powierzchni 8 x 8 mm. Stopień sterujący obejmuje sterowniki bramek, regulator 5 V, wzmacniacze pomiarowe current-sense, komparatory, wzmacniacz back-EMF oraz zestaw obwodów zabezpieczających (termiczny, podnapięciowy, nadnapięciowy, nadprądowy, detektor zablokowania silnika).

STMicroelectronics powiększa rodzinę izolowanych sterowników bramek o model STGAP2SiCS, zaprojektowany do współpracy z tranzystorami SiC MOSFET o napięciu znamionowym do 1200 V. Układ generuje napięcie sterujące bramką do 26 V i zapewnia wydajność prądową ±4 A, wystarczającą do sterowania tranzystorów w aplikacjach średniej i dużej mocy: grzejnikach indukcyjnych, spawarkach, zasilaczach UPS i napędach przemysłowych.