Źródła zasilania
Zasilacze laboratoryjne klasy basic z funkcjami typowymi dla droższych modeli
Poza podstawową funkcjonalnością dostarczania stałego napięcia i prądu, tanie zasilacze NGA100 firmy Rohde&Schwarz oferują funkcje niespotykane w tej klasie przyrządów. Występują one w 4 wersjach jedno- i dwukanałowych o mocy znamionowej odpowiednio do 40 W i do 80 W oraz o parametrach wyjściowych do 35 V/6 A lub 100 V/2 A. Modele dwukanałowe umożliwiają szeregowe lub równoległe łączenie wyjść, pozwalając osiągnąć maksymalne napięcie 200 V i maksymalny prąd 12 A.
Podzespoły energoelektroniczne
Półmostkowe moduły mocy EasyDUAL CoolSiC oparte na podłożach z ceramiki z azotku glinu
Moduły mocy EasyDUAL CoolSiC MOSFET firmy Infineon są obecnie dostępne w wersjach opartych na podłożu z ceramiki z azotku glinu (AIN). Są produkowane w konfiguracji półmostkowej z tranzystorami o rezystancji RDS(on) równej 11 mΩ w przypadku wariantu w obudowie EasyDUAL 1B i 6 mΩ w przypadku wariantu EasyDUAL 2B. Mogą znaleźć zastosowanie w instalacjach solarnych, zasilaczach UPS, falownikach, systemach przechowywania energii i ładowarkach pojazdów o napędzie elektrycznym.
Podzespoły pasywne
Dławiki skompensowane prądowo do aplikacji wysokoprądowych
Schurter powiększa ofertę komponentów indukcyjnych o nową serię dławików skompensowanych prądowo DKIV-1, przeznaczonych do aplikacji jednofazowych wysokoprądowych. Mogą one pracować w temperaturze otoczenia od -40 do +100°C. Są produkowane na zakres prądów znamionowych od 10 do 50 A w wersjach z rdzeniem ferrytowym lub polikrystalicznym. Dzięki konstrukcji przystosowanej do montażu pionowego, zajmują małą powierzchnię na płytce drukowanej. Ponadto, ich zaletą jest mała masa (25...140 g) i otwarta konstrukcja, zapewniająca szybkie odprowadzanie ciepła.
Podzespoły energoelektroniczne
Tranzystory GaN FET 650 V do zasilaczy impulsowych klasy 80 PLUS Titanium o mocy >2 kW
Titanium jest najwyższą specyfikacją 80 PLUS, wymagającą zapewnienia sprawności przekraczającej 91% przy pełnym obciążeniu oraz >96% przy obciążeniu 50%. Osiągnięcie tego w aplikacjach serwerowych pracujących z mocą 2...10 kW, przy użyciu konwencjonalnych komponentów krzemowych, jest trudne. Nexperia zaprojektowała do tego typu zastosowań dwa nowe tranzystory GaN FET 2. generacji o napięciu znamionowym 650 V, zamykane w obudowach TO-247.
Podzespoły energoelektroniczne
Moduły IPM 600 V o dużej sprawności i małym poziomie zaburzeń elektromagnetycznych
W większości produkowanych obecnie modułów IPM priorytetem jest zapewnienie maksymalnej sprawności energetycznej, co często odbywa się kosztem zwiększenia poziomu generowanych zaburzeń elektromagnetycznych. Problem ten pozwalają rozwiązać moduły IPM nowej serii BM6437x z oferty firmy Rohm, charakteryzujące się równocześnie małym poziomem generowanych zaburzeń elektromagnetycznych i małymi stratami.
Źródła zasilania
80-amperowy nieizolowany regulator PoL o wymiarach 33 x 8,6 x 19 mm
BMR474 to najnowszy nieizolowany regulator napięcia PoL (Point of Load) z oferty firmy Flex Power Modules, oferujący wydajność prądową 80 A przy wymiarach wynoszących zaledwie 33 x 8,6 x 19 mm. Jest on przystosowany do montażu pionowego, co zmniejsza wymaganą powierzchnię płytki drukowanej. Umożliwia zasilanie obciążenia maksymalną mocą 198 W i zapewnia sprawność energetyczną sięgającą nawet 95,1% przy pełnym obciążeniu (dla VIN=12 V i VOUT=3,3 V).
Podzespoły energoelektroniczne
Moduł mocy 1200 V z tranzystorami CoolSiC i IGBT7 do systemów solarnych i gromadzenia energii
Do rodziny 1200-woltowych modułów mocy firmy Infineon wchodzi nowy model EasyPACK 2B zrealizowany w 3-poziomowej topologii Active NPC na tranzystorach CoolSiC MOSFET i TRENCHSTOP IGBT7. Jego struktura obejmuje też czujnik temperatury NTC. F3L11MR12W2M1_B74 jest polecany do zastosowań w szybkich aplikacjach impulsowych, m.in. systemach gromadzenia energii. Pozwala też zwiększyć gęstość mocy i sprawność energetyczną w instalacjach solarnych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tanie 650-woltowe tranzystory SiC MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ
Richardson RFPD powiększa rodzinę 650-woltowych tranzystorów SiC MOSFET 3. generacji o trzy tanie modele o rezystancji RDS(on) równej 120 mΩ. Są one oferowane w cenie hurtowej 3,9 USD przy zamówieniach 100 sztuk, kilkakrotnie niższej od wcześniejszych wersji o bardziej wyśrubowanych parametrach.
Komponenty automatyki
Płytki referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek z komponentami Infineon
Firma Infineon zaprezentowała dwa projekty referencyjne energooszczędnych kontrolerów sprężarek do lodówek, wykonanych na bazie podzespołów z własnej oferty. Mogą być one wykorzystywane jako podstawa do realizacji własnych projektów opartych na komponentach produkowanych przez Infineon. Ze względu na sprawdzoną konstrukcję, pozwalają w znacznym stopniu skrócić czas projektowania i ograniczyć ryzyko popełnienia błędów.