Pierwotnie firma planowała rozpoczęcie budowy w 2009 r., ale w styczniu ubiegłego roku inwestycję przełożono ze względu na światową recesję i dekoniunkturę na rynku układów scalonych. Podobnie jak i inni dostawcy układów pamięci, Toshiba ograniczyła w zeszłym roku inwestycje z uwagi na znaczne wahania cen pamięci.
Według firmy analitycznej iSuppli ceny układów NAND poszły w górę w drugiej połowie roku, a tylko w ostatnim kwartale 2009 r. wzrosły aż o 5%. Z kolei Objective Analisys, agencja badania rynku NAND i SSD, przewiduje, że przewaga popytu nad podażą dla układów NAND, która wystąpiła w marcu zeszłego roku, przeciągnie się do roku 2011 powodując stały wzrost cen układów pamięci.
Wielkością Fab 5 ma być zbliżona do obecnie funkcjonującej Fab 4. Fabryka będzie miała strukturę amortyzującą trzęsienia ziemi i ma być przyjazna dla środowiska. Emisja dwutlenku węgla będzie ograniczona o 12% w porównaniu do Fab 4.
Dzięki zwiększonej wydajności produkcyjnej Toshiba szybko i zdecydowanie dostosuje się do potrzeb rynku i, zdaniem samej firmy, wzmocni konkurencyjność na rynku półprzewodników. Budowa Fab 5 rozpocznie się w lipcu br., a jej zakończenie jest planowane na wiosnę 2011 r.
