Samsung inwestuje w fabrykę w USA
| Gospodarka ArtykułyW ramach zakrojonego na szeroką skalę planu inwestycyjnego, Samsung planuje rozbudowę kosztem 3,6 mld dol. fabryki półprzewodników w Austin w Teksasie bazującej na krzemie 300mm. Już w marcu br. południowokoreański gigant otworzył w Austin centrum badań i rozwoju, zajmujące się projektowaniem układów logicznych.
Rys. 1. Udziały rynkowe dostawców układów NAND Flash w I kw. 2010 r. wg iSuppli
W powiększonej teksańskiej fabryce rozpocznie się produkcja układów logicznych zgodnie z zapotrzebowaniem pionu Systemów LSI Samsunga. Koncern zapowiedział zatrudnienie w zakładach dodatkowych 500 pracowników. Szukając możliwości wyjścia poza rynek układów pamięci, Samsung usiłuje mocniej zaangażować się w wytwarzanie m.in. układów logicznych. Produkuje już matryce CMOS oraz układy SoC, z których wiele trafi a prosto do produktów konsumenckich sprzedawanych pod marką koncernu, np. telefonów komórkowych.
Projekty układów SoC Samsunga doczekały się m.in. intratnych zamówień, ze strony Apple, który wykorzystuje je w iPhone’ach i iPadach. Koreański producent rozpoczął także sprzedaż układów mocy. Swój pierwszy zakład produkcji układów scalonych w Austin, fabrykę pamięci DRAM operującą na płytkach 200mm, Samsung uruchomił w 1997 r. Trzy lata temu koncern otworzył w Austin 300mm fabrykę pamięci NAND Flash, a w 2009 zamknął zakład 200mm.
Obecna inwestycja ma na celu rozpoczęcie produkcji układów logicznych w technologii 45mm, a jej uruchomienie, w tym oddanie do użytku tzw. clean rooms, jest przewidywane na połowę przyszłego roku. Do 2011 r. zatrudnienie w zakładach w Austin ma się zwiększyć z 1000 pracowników do około 1500. We wszystkich swoich fabrykach półprzewodników w 2010 r. Samsung zamierza zatrudnić łącznie dziesięć tysięcy nowych pracowników, w tym 3000 przy produkcji układów cyfrowych, a 4000 przy wytwarzaniu LED.
Starając się zwiększyć obroty poza rynkami pamięci, koreański koncern, od lat niekwestionowany lider rynków DRAM i NAND, nie może jednak zapomnieć o trudnej rywalizacji z innymi dostawcami układów NAND Flash, którzy nieustannie rozwijają technologię i najnowsze rozwiązania. Według analityków bardziej zaawansowane technologie produkcji wypracowały sojusze SanDiska z Toshibą oraz Microna z Intelem, dysponujące technologiami odpowiednio 24nm.
Według iSuppli Toshiba i Micron szybciej zwiększają gęstość upakowania informacji w układach pamięci, przechodząc na technologię trzech bitów w komórce, a ich ofensywa w dostawach nowych układów już się rozpoczęła. W szczególności, w I kw. 2010 r. udział Toshiby w rynku NAND Flash w ujęciu kwartalnym zwiększył się o 2,9%, udział Microna o 0,2%, podczas gdy Samsung stracił w rynku 1,3%. (MT)
