wersja mobilna
Online: 320 Środa, 2018.01.24

Biznes

Rekordowe moce matrycy diod laserowych z TopGaN-u

środa, 01 grudnia 2010 14:07

Firma TopGaN we współpracy z Instytutem Wysokich Ciśnień PAN rozwija technologię laserowych źródeł światła opartych o półprzewodniki azotkowe (AlGaIn)N. Technologia firmy TopGaN oparta jest na polskich opracowaniach, począwszy od unikatowych podłoży GaN otrzymywanych w wysokim ciśnieniu, poprzez epitaksję z wiązek metalorganicznych i molekularnych kwantowych struktur epitaksjalnych InGaN/AlGaN/GaN, a kończąc na processingu i montażu diod laserowych.

TopGaN koncenruje się na wytworzeniu laserów bardzo wysokiej mocy optycznej do zastosowań w generacji obrazu (telewizja laserowa), w fotolitografii, w ochronie środowiska do monitorowania stopnia zanieczyszczenia wody i powietrza, w medycynie i w przemyśle drukarskim. Dlatego też jako pierwsza firma na świecie TopGaN rozpoczął systematyczne prace nad wdrożeniem azotkowych matryc laserowych. Matryce laserowe to zintegrowane systemy wieloemiterowe łączące zalety konwencjonalnych diod laserowych (kompaktowość, niezawodność) z bardzo wysoką całkowitą mocą optyczną.

Wytwarzanie matryc laserowych wymaga bardzo wysokiej jakości podłoży, co było przeszkodą do ich rozpowszechnienia na świecie. Na szczęście Polska jest liderem w wytwarzaniu ultrawysokiej jakości kryształów podłożowych z azotku galu. Poza Japonią Polska to jedyne miejsce, gdzie istnieją dwie firmy produkujące praktycznie bezdefektowe podłoża: firma Ammono słynna w świecie ze swej technologii ammonotermalnej wzrostu azotku galu (podłoża o rozmiarach do dwu cali) i firma TopGaN wytwarzająca kryształy podłożowe azotku galu o rozmiarze 1 cala metodą wysokociśnieniową (około 10 tys. atm) o bardzo wysokiej koncentracji elektronów, co niezwykle pomaga w uzyskiwaniu wysokiej sprawności diod laserowych.

TopGaN korzysta z obu wspomnianych wyżej technologii podłożowych. Prace badawczo-rozwojowe prowadzone w TopGaN zostały wsparte przez projekt: "Matryce ultrafioletowych diod laserowych" współfinansowany przez Unię Europejską z Europejskiego Funduszu Rozwoju Regionalnego w ramach Programu Operacyjnego Innowacyjna Gospodarka. W październiku tego roku TopGaN zademonstrował minimatrycę laserową o całkowitej mocy optycznej 2,5W uzyskanej w reżymie pracy ciągłej (CW) w temperaturze pokojowej dla długości fali 408nm.

Matryca charakteryzowała się prądem progowym 1250mA i sprawnością 1,1W/A. Podobne przyrządy zostały również zademonstrowane dla długości fali z zakresu 395-425nm. Opisane osiągnięcie otwiera drogę do szybkiego wprowadzenia na rynek matryc laserowych o mocy wielu watów. Zaprezentowana matryca demonstruje jedną z najwyższych mocy optycznych pochodzących z monolitycznie zintegrowanych źródeł azotkowych na świecie.

Piotr Perlin

 

World News 24h

wtorek, 23 stycznia 2018 19:57

According to TrendForce’s latest report many fabs are being built in China with high capital expenditures, attracting attention from the industry. In particular, new fab construction projects like Silan Microelectronics and CanSemi etc. will intensify the competition and expand the production capacity of the industry. TrendForce estimates that China’s production capacity of 300mm wafer will reach nearly 700,000 pieces per month by the end of 2018, a 42.2% increase from the end of 2017; the revenue from China’s entire wafer fabrication industry is expected to reach RMB 176.7 billion in 2018, an annual growth of 27.12%. From 2016 to the end of 2017, the undergoing and planned new fabs in China totaled 28, of which 20 were for 300mm wafers and 8 were for 200mm wafers, says TrendForce.

więcej na: technews.co