wersja mobilna
Online: 426 Środa, 2018.06.20

Biznes

Qualcomm zgarnia połowę rynku układów baseband

poniedziałek, 31 grudnia 2012 11:23

W pierwszej połowie 2012 r. udział Qualcomma w światowym rynku procesorów baseband do telefonów komórkowych wzrósł do 51%. W całym roku 2011 amerykański dostawca zarezerwował dla siebie 45% obrotów, poinformowali analitycy z agencji Strategy Analytics. Według niej Qualcomm umocnił swą dominującą pozycję w sektorze dzięki przewadze nad konkurencją w układach baseband stosowanych w technologiach CDMA, W-CDMA oraz LTE.

Agencja dodała, że o drugie miejsce na rynku zaciekle walczą Intel oraz tajwański MediaTek. Intel wszedł na ten rynek w skutek przejęcia w 2011 r. biznesu bezprzewodowego od Infineona. W pierwszej połowie 2012 r. udział Intela w omawianym rynku zmalał z 15% rok wcześniej do 12,1% i firma spadła z drugiej na trzecią pozycję. Intel zachował w pierwszej połowie 2012 r. drugie miejsce w segmencie W-CDMA, m.in. dzięki wielu udanym projektom zatwierdzonym przez czołowych dostawców telefonów do produkcji masowej. Według agencji dobrze na przyszłość rokuje również platforma baseband LTE XMM7060 Intela, potencjalnie konkurencyjna wobec rozwiązań Qualcomma.

Mediatek z kolei zawdzięczał większą od Intela sprzedaż w pierwszych dwóch kwartałach 2012 r. silną ofertą procesorów baseband 3G do smartfonów. Do MediaTeka i Speadtrum Communications w 54% należał segment układów baseband GSM/GPRS/EDGE. W skali roku łączny rynek procesorów baseband do telefonów komórkowych w pierwszej połowie 2012 r. powiększył się o 15%, do 8,1 mld dol., poinformowała agencja Strategy Analytics.

Marcin Tronowicz

 

World News 24h

środa, 20 czerwca 2018 10:04

imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.

więcej na: www.imec-int.com