W pierwszej połowie 2012 r. udział Qualcomma w światowym rynku procesorów baseband do telefonów komórkowych wzrósł do 51%. W całym roku 2011 amerykański dostawca zarezerwował dla siebie 45% obrotów, poinformowali analitycy z agencji Strategy Analytics. Według niej Qualcomm umocnił swą dominującą pozycję w sektorze dzięki przewadze nad konkurencją w układach baseband stosowanych w technologiach CDMA, W-CDMA oraz LTE.
Agencja dodała, że o drugie miejsce na rynku zaciekle walczą Intel oraz tajwański MediaTek. Intel wszedł na ten rynek w skutek przejęcia w 2011 r. biznesu bezprzewodowego od Infineona. W pierwszej połowie 2012 r. udział Intela w omawianym rynku zmalał z 15% rok wcześniej do 12,1% i firma spadła z drugiej na trzecią pozycję. Intel zachował w pierwszej połowie 2012 r. drugie miejsce w segmencie W-CDMA, m.in. dzięki wielu udanym projektom zatwierdzonym przez czołowych dostawców telefonów do produkcji masowej. Według agencji dobrze na przyszłość rokuje również platforma baseband LTE XMM7060 Intela, potencjalnie konkurencyjna wobec rozwiązań Qualcomma.
Mediatek z kolei zawdzięczał większą od Intela sprzedaż w pierwszych dwóch kwartałach 2012 r. silną ofertą procesorów baseband 3G do smartfonów. Do MediaTeka i Speadtrum Communications w 54% należał segment układów baseband GSM/GPRS/EDGE. W skali roku łączny rynek procesorów baseband do telefonów komórkowych w pierwszej połowie 2012 r. powiększył się o 15%, do 8,1 mld dol., poinformowała agencja Strategy Analytics.
Marcin Tronowicz
» Wartość rynkowa Qualcomma przewyższyła Intela
» Qualcomm rozgrywa karty na rynku modemów LTE i układów SoC
» Qualcomm sprzedaje dział logistyki i transportu
» Qualcomm przejmuje od HP portfolio patentów Palm, IPAQ i Bitfone
» Qualcomm zainwestuje 120 mln dolarów w zadłużonego Sharpa
» Qualcomm i Renault testują w Londynie system bezprzewodowego ładowania pojazdów
imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.
więcej na: www.imec-int.com
