wersja mobilna
Online: 354 Wtorek, 2018.01.23

Biznes

Ramtron i TI idą w kierunku FRAM

poniedziałek, 03 września 2007 16:38

Po latach badań i obietnic firma Ramtron zaprezentowała coś, co nazywa pierwszą na świecie 4-megabitową pamięcią FRAM. W tym samym czasie firma rozszerzyła swoje powiązania z Texas Instruments. Zgodnie z porozumieniem TI będzie produkować tę 4-megabitowe moduły pamięci FRAM Ramtrona wykorzystując swój proces technologiczny 130nm.

Ramtron i TI pracują razem od 2001 roku, kiedy to obie firmy podpisały umowę o wspólnym licencjonowaniu pamięci FRAM - pamięć ferroelektryczna o swobodnym dostępie i prowadzeniu nad nią badań. Do dnia dzisiejszego partnerzy ustalili kilka szczegółów dotyczących ich planów badawczych, które mają na celu skomercjalizowanie produktów FRAM o większej gęstości.

Wypuszczenie produktu i wspólne badania zapowiadają nie tylko wprowadzenie pamięci FRAM na nowe rynki, takie jak systemy przenośne, ale także dowodzą, że technologia ta jest skalowalna. Mimo, że zaprezentowane pamięci FRAM potwierdziły wcześniejsze zapowiedzi, to skalowalność i problemy produkcyjne spowodowały ograniczenie technologii do tej o wymiarze charakterystycznym 0,35µm. Mimo to analitycy wierzą, że mimo wszystko 4-megabitowe FRAM wejdą niedługo na rynek, choć nieco później niż dotąd planowano. Ponadto TI dał do zrozumienia, że może w przyszłości wprowadzić na rynek układy DSP ze zintegrowaną pamięcią FRAM.

Po co komu FRAM?

Pamięci FRAM mają właściwości podobne do klasycznych RAM, ale są nieulotne, tak jak ROM. Firma Ramtron określa je mianem nieulotnych RAM. Są kompatybilne ze standardowym procesem produkcji CMOS. Cienka warstwa ferroelektryczna umieszczana jest nad podstawowymi warstwami CMOS, pomiędzy elektrodami, co pozwala na szybki cykl zapisu przy zużyciu niewielkiej mocy. Kondensator ferroelektryczny formowany jest przy użyciu elektrod irydowych i cienkiej ferroelektrycznej warstwy cyrkono-tytanianu ołowiu.

Najnowsze zapowiedzi Ramtrona reprezentują nowy kierunek dla firmy. Wcześniej ich pamięci FRAM produkowane były wyłącznie przez Fujitsu. Firma ta będzie nadal produkować pamięci FRAM, ale o pojemności 1Mbit i mniejsze. Natomiast umowa Ramtrona z TI pozwala na produkcję 4-megabitowych pamięci FRAM w 130-nanometrowym procesie CMOS. Proces ten wydaje się być skalowalny i nie wymaga podejmowania nadmiernej liczby nowych kroków. Zastosowano jedynie dwie dodatkowe maski do osadzenia nieulotnego modułu FRAM. Pamięci te najbardziej się nadają do zastąpienia E2PROM i zasilanych bateryjnie SRAM.

Obecnie dostępna jest seria próbna pamięci FM22L16. W ograniczonym zakresie ma być dostępna w trzecim kwartale, a w pełnej produkcji ma pojawić się pod koniec roku. Wykonywana ma być w obudowach TSPO-II o 44 wyprowadzeniach.

Jak dotąd układy FRAM mają małe znaczenie na ogromnym rynku pamięci. W roku 2006 dochód z ich sprzedaży wyniósł 40,5 miliona dolarów, czyli 18% więcej niż rok wcześniej. Dalsze prognozy wzrostu są jednak znacznie lepsze.

Arkadiusz Chłopik

 

World News 24h

poniedziałek, 22 stycznia 2018 19:52

Advanced Semiconductor Engineering Inc announced a 3 to 5 percent pay raise for workers at the company’s plants in Kaohsiung’s Nantze Export Processing Zone and Taoyuan’s Jhongli District this year, joining a slew of local companies in increasing employee payrolls. ASE is to also give away an extra bonus of NT$10,000 to rank-and-file employees at its Kaohsiung headquarters, the company announced at its annual banquet, or weiya party, for employees. The wage hikes came after ASE saw revenue increase 5.66 percent to NT$290.44 billion (US$9.87 billion) last year, compared with NT$274.88 billion in 2016.

więcej na: www.taipeitimes.com