wersja mobilna
Online: 509 Wtorek, 2018.06.19

Biznes

Konkurs na artykuł techniczny na NIDays 2013

środa, 05 czerwca 2013 07:48

NIDays jest wielotematyczną konferencją poświęconą najnowszym technologiom, skierowaną do inżynierów, naukowców oraz wykładowców. Wydarzenie to składa się z warsztatów, wystawy i szczegółowych sesji teoretycznych dotyczących technologii i rozwiązań NI, a także demonstracji innowacyjnych zastosowań dla graficznego projektowania systemów. Firma National Instruments ogłosiła konkurs na artykuł techniczny - NIDays Graphical System Design Case Study Contest - który umożliwia wzięcie udziału w konferencji w roli prelegenta.

Organizatorzy czekają na opisy najnowszych projektów prezentujących najbardziej innowacyjne wykorzystania systemów oprzyrządowania wirtualnego oraz graficznego środowiska programowania. Opis powinien mieć formę artykułu technicznego. Aby wystąpić na konferencji należy do dnia 17 czerwca 2013 r. przesłać streszczenie artykułu zawierające maksymalnie 200 słów, zarówno w języku polskim, jak i angielskim. Sama prezentacja może zostać wygłoszona w języku polskim.

Pakiet szczegółowych materiałów informacyjnych zawierający wskazówki dotyczące nadsyłania streszczeń i właściwych artykułów oraz opisujący kryteria wyboru prac do prezentacji znajduje się w serwisie internetowym organizatora konferencji: download.ni.com.

W Polsce konferencja NIDays 2013 odbędzie się 16 października w Warszawie.

źródło: National Instruments

 

World News 24h

wtorek, 19 czerwca 2018 12:05

imec demonstrates for the first time the possibility to fabricate state-of-the-art spin-orbit torque MRAM devices on 300mm wafers using CMOS compatible processes. With an unlimited endurance (>5x1010), fast switching speed (210ps), and power consumption as low as 300pJ, the SOT-MRAM devices manufactured in a 300mm line achieve the same or better performance as lab devices. This next-generation MRAM technology targets replacement of L1/L2 SRAM cache memories in high-performance computing applications. SOT-MRAM has recently emerged as a non-volatile memory technology that promises a high endurance and low-power, sub-ns switching speed.

więcej na: www.imec-int.com