Samsung inwestuje 500 mln dolarów w fabrykę w Xian

Samsung wybrał Xian, ponieważ region ma dobrą infrastrukturę przemysłową. Budowa nowej fabryki to część dążenia do dywersyfikacji linii produkcyjnych i zaspokojenia rosnącego popytu na pamięci NAND flash. Część konstrukcyjna projektu ma być ukończona w 2014 r.

Samsung poinformował również o otworzeniu kolejnego centrum badawczo-rozwojowego, które jest już ósmym ośrodkiem badawczym firmy utworzonym w ramach działalności w Chinach.

źródło: Yonhap News Agency

Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google? Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł

Powiązane treści

Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm

Samsung zbuduje 5 nowych ośrodków B+R za 4,5 mld dol.

Samsung otworzył w Łodzi Centrum Badawczo-Rozwojowe

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka

Komponenty

Qualcomm i Amazon zawierają umowę na dostawy chipów AI za nawet 60 mld dolarów

Zasilanie

BattSwap wchodzi do Polski z technologią ekspresowej wymiany baterii dla flot dostawczych

Mikrokontrolery i IoT

Analog Devices przejmie Alif Semiconductor za 1,35 mld dolarów

Zasilanie

ENERGETAB 2026 – 39 edycja targów zacznie się już 15 września

Projektowanie i badania

UE zamawia superkomputer LUMI-AI za 387,8 mln euro

Projektowanie i badania

Nvidia kupi Hugging Face za 12,9 mld dolarów

Zobacz więcej z tagiem: Artykuły

Electronica 2026 - targi i konferencja producentów elektroniki

Kompatybilność elektromagnetyczna

Historia EMC (electromagnetic compatibility) zaczyna się od potrzeby opanowania problemu: co zrobić, gdy jedno urządzenie zaczyna zakłócać pracę drugiego. Miała swój początek wraz z pojawianiem się coraz większej liczby urządzeń elektrycznych wykonujących bardziej złożone zadania. Początkowo problem ten miał charakter niemal przypadkowy, a przybrał rolę istotnego wyzwania technicznego wymagającego systematycznego podejścia. Aktualnie jest to obowiązkowy punkt w produkcji urządzeń elektrycznych oraz elektronicznych.