Samsung inwestuje 500 mln dolarów w fabrykę w Xian

Firma Samsung ogłosiła, że przeznaczy dodatkowe 500 mln dolarów na budowę zakładu w starożytnym chińskim mieście Xian. Nowa fabryka półprzewodników powstaje w centralnych Chinach od września 2012 r. Po ostatniej decyzji łączna wartość inwestycji Samsunga osiągnie 7,5 mld dolarów. Zakład w Xian staje się tym samym największym projektem zagranicznym producenta, dotyczącym wytwarzania chipów pamięci.

Posłuchaj
00:00

Samsung wybrał Xian, ponieważ region ma dobrą infrastrukturę przemysłową. Budowa nowej fabryki to część dążenia do dywersyfikacji linii produkcyjnych i zaspokojenia rosnącego popytu na pamięci NAND flash. Część konstrukcyjna projektu ma być ukończona w 2014 r.

Samsung poinformował również o otworzeniu kolejnego centrum badawczo-rozwojowego, które jest już ósmym ośrodkiem badawczym firmy utworzonym w ramach działalności w Chinach.

źródło: Yonhap News Agency

Powiązane treści
Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm
Samsung zbuduje 5 nowych ośrodków B+R za 4,5 mld dol.
Samsung otworzył w Łodzi Centrum Badawczo-Rozwojowe
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
PCB
Siemens przejmuje DownStream Technologies
Komponenty
Navitas wprowadza pierwsze na świecie tranzystory SiC MOSFET z kwalifikacją AEC-Plus dla motoryzacji i przemysłu
Zasilanie
Infineon rozszerza ofertę modułów mocy EasyPACK CoolGaN dla aplikacji wysokonapięciowych
Aktualności
Już za tydzień Warsaw Industry Automatica 2025
Aktualności
Nowa wizja transformacji cyfrowej – COCUS i Panasonic
Produkcja elektroniki
Popyt na sprzęt do produkcji wyznacznikiem stanu branży
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Kwiecień 2025
Targi zagraniczne
Międzynarodowa wystawa i warsztaty na temat kompatybilności elektromagnetycznej EMV 2025
Statyczne
Logowanie
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów