Samsung wybrał Xian, ponieważ region ma dobrą infrastrukturę przemysłową. Budowa nowej fabryki to część dążenia do dywersyfikacji linii produkcyjnych i zaspokojenia rosnącego popytu na pamięci NAND flash. Część konstrukcyjna projektu ma być ukończona w 2014 r.
Samsung poinformował również o otworzeniu kolejnego centrum badawczo-rozwojowego, które jest już ósmym ośrodkiem badawczym firmy utworzonym w ramach działalności w Chinach.
źródło: Yonhap News Agency
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
