Firma Semicon znalazła się w gronie instytutów naukowych i przedsiębiorstw z całej Unii Europejskiej, które uczestniczą w międzynarodowym programie finansowania badań Horizon 2020. Semicon bierze udział w projekcie mającym na celu opracowanie sposobu odzyskiwania elementów elektronicznych oraz ich ponownego wykorzystania w nowych urządzeniach. W działania te zaangażowany jest również Instytut Tele- i Radiotechniczny z Warszawy (ITR). Horizon 2020 to największy w historii program finansowania badań i rozwoju w Unii Europejskiej z budżetem blisko 80 mld euro.
W przedsięwzięciu Horizon 2020 bierze udział łącznie 17 firm z Niemiec, Austrii, Holandii, Irlandii, Finlandii, Szwecji oraz Polski. Liderem jest monachijski Fraunhofer Institute.
Razem z ITR-em Semicon opracuje technologię demontażu układów i modułów elektronicznych minimalizującą narażenia termiczne i mechaniczne, sposób odzyskiwania i ujednorodniania powierzchni wyprowadzeń elementów oraz metodę sprawdzania wytrzymałości odzyskanych elementów na narażenia mechaniczne i termiczne. W ramach działań projektowych Semicon wzbogaci park maszynowy m.in. o zaawansowane urządzenia do montażu i demontażu elementów dające możliwość reballingu oraz precyzyjnego pozycjonowania elementów podczas montażu.
Przedstawione zostanie kilka możliwości wykorzystania odzyskanych elementów. Wyszczególnione zagadnienia realizowane będą we współpracy z innymi firmami oraz przy wsparciu naukowym Instytutu Fraunhofera oraz ITR.
Więcej o projekcie można znaleźć na stronie ec.europa.eu/programmes/horizon2020/what-horizon-2020.
» W ramach Horyzontu 2020 do przedsiębiorców i nauki może trafić blisko 80 mld euro
» Semicon dystrybutorem firmy Optomistic Products
» Semicon będzie sprzedawał testery do wiązek kablowych
» Nowa marka w ofercie firmy Semicon
» Semicon nawiązał współpracę z firmą Zipper-Technik
imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.
więcej na: www.imec-int.com
