Nowy interfejs pamięci Flash NAND

Firmy Intel i Micron Technology wspólnie opracowały kolejną nową technologię interfejsu pamięci Flash NAND, pozwalającą pięciokrotnie zwiększyć szybkość transferu danych. Pierwsze układy NAND tej technologii, otwierające nową klasę zastosowań, wyprodukowano w firmie Micron. Technologia ta, owoc współpracy Intela i Microna, jest zgodna z nową specyfikacją interfejsu, sformułowaną przez Grupę Roboczą Open NAND Flash Interface (ONFi). Grupa ta powstała w roku 2006 i liczy obecnie 71 członków.

Posłuchaj
00:00

Specyfikacja, nazwana ONfi2.0, definiuje bardzo szybki synchroniczny interfejs pamięci Flash NAND, który ma rozwijać szybkość do 133MB/s. Szybkość działania aktualnego asynchronicznego interfejsu pamięci NAND nie przekracza 50MB/s, co ogranicza możliwości stosowania np. półprzewodnikowych pamięci przenośnych.

Czas transferu danych przez urządzenia zgodne ze specyfikacją ONfi2.0 do i z bufora danych został zmniejszony za pomocą dwóch technik: sygnalizowania podwójnej szybkości danych (DDR) i synchronizowania sygnału zegarowego ze źródłem. Nowa technologia usuwa dokuczliwe utrudnienia w interfejsie pamięci.

Intel i Micron posunęli tę technologię o krok dalej. Przy użyciu czteropłaszczyznowej architektury szybkość interfejsu NAND może osiągnąć 200MB/s przy odczycie danych i 100MB/s przy zapisie. W porównaniu z konwencjonalnymi jednopoziomowymi komórkami NAND, o szybkości odczytu 40MB/s i zapisu 10MB/s, jest to rzeczywiście dużo.

Użytkownik będzie mógł przekazywać dane komputerowe, wideo, fotograficzne czy inne w ułamku dotychczasowego czasu. Transfer danych cyfrowych pomiędzy urządzeniami, jak komputer, cyfrowy aparat foto, odtwarzacz MP3 czy telefon komórkowy stanie się również dużo szybszy.

Rynek komputerowy przejmie nowe rozwiązania pamięci NAND , aby przyspieszyć działanie systemów przez użycie szybszych półprzewodnikowych pamięci podręcznych i przenośnych. Przy szybkości blisko pięciokrotnie większej w stosunku do konwencjonalnych NAND, szybkie pamięci NAND Intela i Microna, oparte na standardzie przemysłowym ONfi2.0, umożliwią tworzenie nowych rozwiązań wbudowanych i przenośnych, wykorzystujących zalety szybkich interfejsów, na przykład PCIe czy przyszłego USB 3.0. Nowa technologia pozwoli na przykład napędom hybrydowym pobierać i oddawać dane z szybkością dwu- do czterokrotnie większą w porównaniu do napędów tradycyjnych.

Micron planuje wejść na rynek jako pierwsze przedsiębiorstwo, które wprowadzi pamięć opartą na nowej technologii. Firma zapowiada układy 8-gigabitowe o komórkach jednopoziomowych (SLC). Zaprojektowana w procesie 50nm bardzo szybka pamięć NAND jest przewidziana dla OEM i dla producentów kontrolerów, a jej masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2008 roku.

Micron zamierza w przyszłym roku zaprezentować układy NAND oparte na ONfi2.0, w tym wersje z komórkami wielopoziomowymi (MLC). W następnych generacjach specyfikacji przewidywana jest szybkość do 400MB/s. Prawdopodobnie nowa wersja specyfikacji ONfizostanie skończona w 2009. ONfitworzą firmy Hynix Semiconductor, Intel, Micron, Phison, Sony i STMicroelectronics.

Krzysztof Pochwalski

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Rynek zaawansowanych podłoży wkrótce przekroczy 30 mld dolarów
Produkcja elektroniki
Europa pozostaje w tyle na rynku półprzewodników
Komponenty
Mouser Electronics i Ampleon zawierają globalną umowę dystrybucyjną obejmującą rozwiązania zasilania RF
Produkcja elektroniki
TSMC oszacował ceny usług produkcyjnych dla procesu 1,6 nm
Pomiary
Chiny liderem w zakresie samochodowych LiDAR-ów. Rynek gwałtownie rośnie
Aktualności
Upadłość firmy Wolfspeed może przenieść zamówienia SiC do dostawców z Tajwanu
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów