wersja mobilna
Online: 437 Wtorek, 2018.02.20

Biznes

Nowy interfejs pamięci Flash NAND

środa, 31 grudnia 2008 01:00

Firmy Intel i Micron Technology wspólnie opracowały kolejną nową technologię interfejsu pamięci Flash NAND, pozwalającą pięciokrotnie zwiększyć szybkość transferu danych. Pierwsze układy NAND tej technologii, otwierające nową klasę zastosowań, wyprodukowano w firmie Micron. Technologia ta, owoc współpracy Intela i Microna, jest zgodna z nową specyfikacją interfejsu, sformułowaną przez Grupę Roboczą Open NAND Flash Interface (ONFi). Grupa ta powstała w roku 2006 i liczy obecnie 71 członków.

Specyfikacja, nazwana ONfi2.0, definiuje bardzo szybki synchroniczny interfejs pamięci Flash NAND, który ma rozwijać szybkość do 133MB/s. Szybkość działania aktualnego asynchronicznego interfejsu pamięci NAND nie przekracza 50MB/s, co ogranicza możliwości stosowania np. półprzewodnikowych pamięci przenośnych.

Czas transferu danych przez urządzenia zgodne ze specyfikacją ONfi2.0 do i z bufora danych został zmniejszony za pomocą dwóch technik: sygnalizowania podwójnej szybkości danych (DDR) i synchronizowania sygnału zegarowego ze źródłem. Nowa technologia usuwa dokuczliwe utrudnienia w interfejsie pamięci.

Intel i Micron posunęli tę technologię o krok dalej. Przy użyciu czteropłaszczyznowej architektury szybkość interfejsu NAND może osiągnąć 200MB/s przy odczycie danych i 100MB/s przy zapisie. W porównaniu z konwencjonalnymi jednopoziomowymi komórkami NAND, o szybkości odczytu 40MB/s i zapisu 10MB/s, jest to rzeczywiście dużo.

Użytkownik będzie mógł przekazywać dane komputerowe, wideo, fotograficzne czy inne w ułamku dotychczasowego czasu. Transfer danych cyfrowych pomiędzy urządzeniami, jak komputer, cyfrowy aparat foto, odtwarzacz MP3 czy telefon komórkowy stanie się również dużo szybszy.

Rynek komputerowy przejmie nowe rozwiązania pamięci NAND , aby przyspieszyć działanie systemów przez użycie szybszych półprzewodnikowych pamięci podręcznych i przenośnych. Przy szybkości blisko pięciokrotnie większej w stosunku do konwencjonalnych NAND, szybkie pamięci NAND Intela i Microna, oparte na standardzie przemysłowym ONfi2.0, umożliwią tworzenie nowych rozwiązań wbudowanych i przenośnych, wykorzystujących zalety szybkich interfejsów, na przykład PCIe czy przyszłego USB 3.0. Nowa technologia pozwoli na przykład napędom hybrydowym pobierać i oddawać dane z szybkością dwu- do czterokrotnie większą w porównaniu do napędów tradycyjnych.

Micron planuje wejść na rynek jako pierwsze przedsiębiorstwo, które wprowadzi pamięć opartą na nowej technologii. Firma zapowiada układy 8-gigabitowe o komórkach jednopoziomowych (SLC). Zaprojektowana w procesie 50nm bardzo szybka pamięć NAND jest przewidziana dla OEM i dla producentów kontrolerów, a jej masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2008 roku.

Micron zamierza w przyszłym roku zaprezentować układy NAND oparte na ONfi2.0, w tym wersje z komórkami wielopoziomowymi (MLC). W następnych generacjach specyfikacji przewidywana jest szybkość do 400MB/s. Prawdopodobnie nowa wersja specyfikacji ONfizostanie skończona w 2009. ONfitworzą firmy Hynix Semiconductor, Intel, Micron, Phison, Sony i STMicroelectronics.

Krzysztof Pochwalski

 

World News 24h

wtorek, 20 lutego 2018 16:00

NXP Semiconductors N.V., has announced the availability of its GreenBox vehicle electrification development platform. GreenBox allows automakers and suppliers to begin early development of next-generation hybrid and electric vehicle applications on NXP’s S32 automotive processing multicore platform based on Arm Cortex technology. With increasing regulatory restrictions on emissions and stricter fuel economy targets around the world, both traditional automakers and new market entrants are under pressure to roll out electric and hybrid vehicles to consumers quickly. GreenBox provides a high-performance processing platform to design and test new control algorithms and energy management tasks critical for next-generation hybrid and fully-electric vehicles.

więcej na: media.nxp.com

2018.02.20