Infineon i SolarEdge rozwijają platformę transformatorów półprzewodnikowych dla centrów danych AI

Firmy Infineon Technologies i SolarEdge Technologies nawiązały współpracę w celu rozwoju platformy Solid-State Transformer (SST) nowej generacji, przeznaczonej dla centrów danych wykorzystujących sztuczną inteligencję. Wspólny projekt obejmuje opracowanie modularnego bloku SST o mocy 2-5 MW, łączącego technologię półprzewodników z węglika krzemu (SiC) Infineona z zaawansowaną topologią konwersji i sterowania SolarEdge. Rozwiązanie umożliwi bezpośrednią konwersję z napięcia średniego na 800-1500 V DC przy sprawności przekraczającej 99%, otwierając drogę do bardziej efektywnej i zrównoważonej infrastruktury zasilania dla rosnącego rynku centrów danych AI.

Posłuchaj
00:00

Infineon Technologies AG, specjalista w dziedzinie półprzewodników mocy, oraz SolarEdge Technologies, Inc., producent inteligentnych systemów energetycznych, rozwijają wspólnie platformę SST, która ma stać się podstawą nowej architektury zasilania centrów danych AI i infrastruktury hiperskalowej. Opracowywane rozwiązanie ma umożliwić bardziej bezpośrednie, wydajne i skalowalne połączenie sieci elektroenergetycznej z systemami DC stosowanymi w serwerowniach. Celem partnerstwa jest nie tylko poprawa sprawności konwersji energii, ale także ograniczenie strat, masy i śladu węglowego całych systemów zasilania.

Nowa generacja zasilania dla centrów danych

Technologia Solid-State Transformer może odegrać kluczową rolę w przyszłych architekturach zasilania centrów danych AI, pracujących w standardzie 800 V DC. SST umożliwia bezpośrednią konwersję z napięcia średniego (13,8–34,5 kV) na 800–1500 V DC, zapewniając wyjątkową sprawność, redukcję rozmiarów i masy urządzeń, niższy ślad węglowy oraz szybszą implementację infrastruktury energetycznej łączącej sieć publiczną z systemami zasilania serwerowni.

– Takie współprace są kluczowe dla rozwoju kolejnej generacji architektur zasilania centrów danych opartych na napięciu 800 V DC oraz dalszego postępu w procesie dekarbonizacji,- powiedział Andreas Urschitz, Chief Marketing Officer w Infineon. – Połączenie wysokowydajnej technologii SiC Infineona z doświadczeniem SolarEdge w zarządzaniu energią tworzy solidną podstawę dla skalowalnych, niezawodnych i efektywnych systemów zasilania niezbędnych w erze centrów danych opartych na AI.

– Rewolucja AI redefiniuje infrastrukturę zasilania, – podkreślił Shuki Nir, CEO firmy SolarEdge. – Branża centrów danych musi dysponować rozwiązaniami, które zapewnią jeszcze wyższy poziom sprawności i niezawodności. Dzięki naszemu wieloletniemu doświadczeniu w zakresie architektury prądu stałego (DC) jesteśmy w wyjątkowej pozycji, by przewodzić tej transformacji. Współpraca z Infineonem wnosi światowej klasy innowacje półprzewodnikowe do naszych działań na rzecz budowy inteligentniejszych i bardziej efektywnych systemów energetycznych dla ery sztucznej inteligencji.

Wraz z dynamicznym wzrostem zapotrzebowania na moc napędzanym przez rozwój infrastruktury AI, operatorzy centrów danych szukają nowych sposobów na zwiększenie efektywności, niezawodności i zrównoważonego rozwoju. SolarEdge, bazując na ponad 15 latach doświadczenia w zakresie architektury DC i elektroniki mocy o wysokiej sprawności, zamierza rozszerzyć działalność na rynek centrów danych, oferując rozwiązania optymalizujące dystrybucję energii od sieci aż do szafy serwerowej (racka obliczeniowego).

Infineon z kolei rozwija półprzewodniki oparte na krzemie (Si), węgliku krzemu (SiC) i azotku galu (GaN), co pozwala ograniczyć wpływ środowiskowy oraz obniżyć koszty eksploatacji infrastruktury zasilania w ekosystemie centrów danych AI.

Źródło: Infineon

Powiązane treści
Rohm i Infineon wymienią się obudowami dla tranzystorów mocy SiC
Infineon zasili swoje zakłady zieloną energią elektryczną
Mikrofony MEMS o dużym współczynniku SNR a rozwój AI
Infineon finalizuje przejęcie biznesu Ethernetu motoryzacyjnego firmy Marvell
Infineon i UL Solutions wspólnie przyspieszają wdrażanie bezpieczeństwa funkcjonalnego ISO 26262
Dotykowe czujniki indukcyjne - nowy wymiar interfejsu HMI
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Chiny rozszerzają ograniczenia eksportowe na metale ziem rzadkich
PCB
Eurocircuits startuje z konkurencyjną ofertą płytek HDI
Mikrokontrolery i IoT
Ceva i Microchip wspólnie napędzają rozwój sztucznej inteligencji w urządzeniach brzegowych
Produkcja elektroniki
Chińska branża MEMS w silnym trendzie wzrostowym
Projektowanie i badania
TSMC otwiera Europejskie Centrum Projektowe w Monachium
Projektowanie i badania
Pierwszy w Polsce hackathon wdrożeniowy HackNation 2025 - nagrody: 500 tys. zł
Zobacz więcej z tagiem: Zasilanie
Gospodarka
SiC i GaN zasilają rewolucję AI: półprzewodniki, które zmieniają oblicze centrów danych
Konferencja
Wrocław Bridge Energy & Industry Dialogue "Gospodarka pod napięciem kosztów energii"
Gospodarka
Eneris uruchomił w Siemiatyczach elektrownię PV

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów