Rohm i Infineon wymienią się obudowami dla tranzystorów mocy SiC

Rohm i Infineon Technologies podpisały porozumienie w zakresie wymiany licencji dla obudów tranzystorów mocy z węglika krzemu (SiC). Dzięki temu posunięciu obie firmy będą dla klientów zapasowym źródłem komponentów, zapewniając większą elastyczność w zaopatrzeniu. Rohm wypuści tranzystory w 2,3-milimetrowych obudowach z chłodzeniem od góry Infineona: TOLT, D-DPAK, Q-DPAK i H-DPAK. Infineon z kolei wypuści tranzystory w obudowie DOT-247 Rohm, która zapewnia wyższą gęstość mocy i ma niższą rezystancję termiczną niż konwencjonalne wersje TO-247. Obie firmy poinformowały, że współpraca będzie rozwijana o kolejne rozwiązania dla podzespołów krzemowych i GaN.