wersja mobilna
Online: 513 Piątek, 2017.11.17

Biznes

Rośnie nadmiar półprzewodników na rynku

poniedziałek, 02 lutego 2009 01:00

Według iSuppli, nadmiar półprzewodników na rynku w IV kwartale 2008 r. wzrośnie nawet do wartości 10,2 mld dolarów, wobec 3,8 mld dolarów w poprzednim kwartale. Nadmiarowa podaż jest przede wszystkim wynikiem załamania popytu pod koniec III kw. Producenci półprzewodników nie zdążyli odpowiednio szybko zareagować na zmiany i dostosować produkcji do nowych warunków rynkowych.

Zdaniem analityków, sytuacja ta bez wątpienia odbije się negatywnie na cenach układów oraz obrotach i rentowności branży. Przyczyni się to do wydłużenia czasu potrzebnego na wyjście rynku z kryzysu oraz do zmniejszenia globalnych obrotów w bieżącym roku o dodatkowe 2%. Według analityków iSuppli, od czasów załamania rynku w 2001 r., ponad 80% nadmiarowych półprzewodników zalegało w magazynach producentów.

Sytuacja uległa zmianie w ubiegłym kwartale, kiedy to 41,5% nadwyżki układów, o wartości 4,23 mld dolarów, znajduje się w rękach dystrybutorów oraz dalszych podmiotów łańcucha dostaw. Sprzedawcy detaliczni prawdopodobnie będą zmuszeni obniżyć ceny gotowych produktów elektronicznych lub dokonają zwrotu zakupionych towarów. Sytuacja ta dotknie to przede wszystkim rynek elektroniki konsumenckiej, telefonów komórkowych oraz elektroniki samochodowej.

 

World News 24h

piątek, 17 listopada 2017 18:03

Construction of the second phase of Samsung's memory chip facility in Northwest China's Shaanxi Province has started, and it is expected to help Xi'an forge an industrial cluster worth billions of yuan and cement the city's position as a global semiconductor industrial base. Located within Samsung's factory in the Xi'an Hi-tech Industries Development Zone, construction equipment is being erected for the second phase of the facility. "The new facility is scheduled to be put into operation in 2019 and will be used for mass production of V-NAND flash memory," Samsung Electronics Co told the Global Times. The V-NAND is a type of flash memory with a very high speed.

więcej na: www.ecns.cn