wersja mobilna
Online: 622 Czwartek, 2017.11.23

Biznes

Taiwan wspiera firmy dziłajace na rynku DRAM

środa, 25 marca 2009 09:43

Rząd Tajwanu podjął decyzję o wsparciu finansowym tamtejszych firm działających na rynku pamięci DRAM. Dodatkowo, jak podaje Dow Jones, plan restrukturyzacji branży zakłada wsparcie inicjatywy konsolidacji sześciu tamtejszych producentów w jedno przedsiębiorstwo o nazwie Taiwan Memory Co. (TMC).

Stałoby się to przy współpracy z jednym z dużych zagranicznych graczy mających interesy w regionie, czyli japońską Elpidą lub amerykańskim Micron. Plany konsolidacyjne obejmują Nanya Technology, Inotera Memories, Powerchip Semiconductor, Rexchip Electronics, ProMOS Technologies oraz Winbond Electronics. Łącznie, odnotowały one 12,5 mld dolarów strat w 2007 i 2008 r. Rząd posiadałby poniżej 50% udziałów w nowopowstałej spółce, jednak nie zdradzono całkowitych kosztów inwestycji.

Zdaniem strony rządowej, plany te pozwolą zwiększyć konkurencyjność Tajwanu na rynku DRAM, szczególnie wobec producentów z Korei. Produkcja w TMC byłaby w pełni zintegrowana, obejmując wszystkie etapy powstawania nowych układów, jak badania i rozwój, opracowanie architektury, wytwarzanie oraz sprzedaż i marketing. Jednym z najważniejszych zadań spółki będzie opracowanie własnej technologii oraz pakietu patentów.

Plany te spotkały się z mieszanymi odczuciami analityków. Wielu z nich wątpi, czy w okresie kryzysu na rynku pamięci, twór ten miałby perspektywy na odniesienie sukcesu. Nikłe są szansę Taiwan Memory Co. na zagrożenie pozycji koreańskich producentów, w szczególności Samsunga, który mimo pozycji lidera branży, zmaga się z problemami na przesyconym rynku DRAM. Niewiadomo także, czy Micron oraz Elpida wyrażą aprobatę dla planów rządu. Micron w ramach spółki joint venture współpracuje ściśle z Nanya Technology, natomiast Elpida z Powerchip.

 

World News 24h

czwartek, 23 listopada 2017 19:53

An Israel-based semiconductor startup has reported positive results with its ReRAM technology. Weebit Nano recently published preliminary evaluation results of endurance and data retention measurement on 4Kb arrays on 300nm cells. In a telephone interview with EE Times, CEO Coby Hanoch said the results successfully conclude the 300nm 4Kb characterization. The measurement was done under a variety of temperature and duration conditions at 150, 200 and 260 degrees Celsius, monitoring the ability of the ReRAM cells to maintain their resistivity levels within industry acceptable ranges. Hanoch said 260 degrees Celsius is significant since it's the temperature used when soldering chipsets into printed circuit boards.

więcej na: www.eetimes.com