Wzrost inwestycji w sektorze pamięci flash został już odnotowany w 2017 roku, kiedy rozpoczęto wprowadzanie architektury 3D NAND. Wspomniana wcześniej kwota 29,9 mld dolarów odpowiada za 16% całościowej kwoty inwestycyjnej w przemysł półprzewodnikowy na rok 2022, która wynosi 190,4 mld dolarów. Środki przeznaczone na sektor pamięci flash zajmują drugie miejsce pod względem wysokości, tuż przed przemysłem foundry, który odpowiada za 41% inwestycji.
Do grona nowych i niedawno zmodernizowanych fabryk pamięci flash NAND należą m.in. obiekty Pyeongtaek Lines 1 i 2 firmy Samsung — znajdują się tam również linie produkcyjne dla pamięci DRAM i foundry. W drugiej fazie realizacji inwestycji znajduje się fabryka Samsunga zlokalizowana w mieście Xi’an, w Chinach, obiekt Fab 6 firmy Kioxia (Flash Ventures) i Fab K1 w Iwate w Japonii. Warto wspomnieć także o trzeciej już fabryce pamięci flash w Singapurze należącej do Microna. Ponadto firma SK Hynix zagospodarowała dodatkową przestrzeń swojej fabryki M15 na linię produkcyjną pamięci flash NAND.
Pierwsze linie produkcyjne 200-warstwowych chipów pamięci flash zostaną uruchomione pod koniec 2022 roku, co zapoczątkuje wyścig produkcyjny między firmami w branży. Szacuje się, że ma on potrwać do 2023 roku. Samsung i Micron mogą być pierwszymi podmiotami, które jeszcze w tym roku ogłoszą rozpoczęcie masowej produkcji tego typu układów scalonych.
Obie te firmy, a także SK Hynix, obecnie wytwarzają na masową skalę 176-warstwowe układy pamięci NAND. Fabryka Samsunga zlokalizowana w chińskim mieście Xi’an stanowi kluczowe miejsce produkcji dla technologii NAND. W związku ze zwiększonym popytem na aplikacje wykorzystujące pamięć masową w sektorze biznesowym, SK Hynix spodziewa się migracji do 196-warstwowych układów w 2023 roku.
Źródło: IC Insights
