Dynamic Flash Memory następcą pamięci DRAM

Singapurska firma Unisantis Electronics zaprezentowała nowy typ pamięci - Dynamic Flash Memory (DFM). Charakteryzuje się ona wyższymi transferami i gęstszą strukturą półprzewodnikową niż DRAM lub inne rodzaje pamięci ulotnej. Firma Unisantis, założona w 2008 roku przez wynalazcę technologii flash Fujio Masuokę, opatentowała technologię tranzystora z bramką przestrzenną (SGT), charakteryzującego się trójwymiarową konstrukcją, która oferuje znaczące korzyści w zakresie projektowania systemu i wydajności dla producentów półprzewodników pamięci i czujników obrazu.

Posłuchaj
00:00

Od dawna wyzwaniem w dziedzinie pamięci DRAM było dalsze zagęszczanie struktur półprzewodnikowych przy zachowaniu niskich kosztów, bez zwiększania zużycia energii. Technologia DFM przyjmuje rewolucyjne podejście do znoszenia ograniczeń wynikających z obecnie stosowanej konwencjonalnej architektury pamięci ulotnej, takiej jak DRAM, z jej nieodłącznym krótkim, regularnym i energochłonnym odświeżaniem komórek.

Dynamic Flash Memory jest również rodzajem pamięci ulotnej, jednak nie jest to pamięć oparta na kondensatorach, ma mniej ścieżek i nie wykorzystuje połączeń między tranzystorami przełączającymi a kondensatorem. W rezultacie powstaje konstrukcja w postaci ogniwa z potencjałem znacznego wzrostu gęstości struktur półprzewodnikowych. Rozwiązanie to oferuje nie tylko odświeżanie bloku, ale jako pamięć flash zapewnia jego wymazywanie. Technologia DFM zmniejsza częstotliwość pracy i narzut cyklu odświeżania, a także jest w stanie znacznie poprawić wydajność i efektywność energetyczną względem DRAM.

Wykorzystując symulację TCAD, Unisantis udowodnił, że DFM ma znaczący potencjał do czterokrotnego zwiększenia gęstości w porównaniu z DRAM. Zgodnie z ostatnimi danymi przedstawionymi podczas konferencji IEEE ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) skalowanie pamięci DRAM prawie zatrzymało się na poziomie 16 Gb.

Zastąpienie pamięci DRAM jest dużym wyzwaniem dla branży, nie tylko dlatego, że obecnie odpowiadają one za ponad 50% zapotrzebowania rynku. Prognozy przygotowane przez firmę analityczną Yole Development sugerują, że do 2025 roku zapotrzebowanie na tego typu ekonomiczną pamięć DRAM o dużej gęstości będzie nadal rosnąć, osiągając 100 mld dolarów. Wyzwania technologiczne stoją również przed innymi konstrukcjami, takimi jak bezkondensatorowa pamięć DRAM, ZRAM lub uproszczonymi metodami GAA i Nanosheet. Wszystkie te rozwiązania posiadają swoje graniczenia w porównaniu z DFM.

 

Źródło: Electronics Weekly

Powiązane treści
Koreańscy dostawcy pamięci z lepszymi wynikami sprzedaży niż oczekiwano
Tajwańscy producenci chipów pamięci ze sprzedażą na rekordowym poziomie
Pamięci DRAM też będą trójwymiarowe
Popyt na MOSFET-y i niższej klasy układy DRAM pozostaje wysoki
Pamięć MRAM następcą NOR flash
W 2027 roku rynek pamięci przekroczy 260 mld dolarów
Goodram Industrial uruchomił nową stronę internetową
Powstanie europejska firma specjalizująca się w chipach pamięci
Samsung wprowadza technologię PIM do szerszych zastosowań
Pamięć DDR5 zadebiutuje już w pierwszej połowie tego roku
W tym roku segmenty pamięci DRAM i NAND ponownie zajmą kluczową pozycję na rynku IC
Emerging memories następcą dotychczasowych pamięci
Samsung wprowadza dyski SSD nowej generacji
Ceny pamięci DRAM czeka dwucyfrowy spadek
Inwestycje w pamięć flash - prawie 30 mld dolarów
Micron wybuduje za 7 mld dolarów fabrykę pamięci
UE przeznaczy prawie 400 mln euro na rozwój nowych technologii
Ceny NAND flash mogą w drugiej połowie roku spadać
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Zasilanie
Nowy standard realme w zakresie trwałości baterii - 1400 cykli do 2027 roku
Produkcja elektroniki
Scanfil przejął MB Elettronica
Optoelektronika
Skylark Lasers przyspiesza ekspansję w Chinach – wsparcie zapewnia Intralink
Produkcja elektroniki
Firmy Trinasolar i HoloSolis podpisały umowę licencyjną na technologię TOPCon
Produkcja elektroniki
ST Microelectronics kupił biznes MEMS od NXP
Komponenty
Strategiczna współpraca Lotus i EDOM w regionie APAC
Zobacz więcej z tagiem: Projektowanie i badania
Technika
Praktyczne aspekty ochrony przed zakłóceniami elektromagnetycznymi
Prezentacje firmowe
Zbuduj kompletny system taktowania!
Gospodarka
Rewolucja w akumulatorach: siła szybkiego ładowania

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów