Pamięci DRAM też będą trójwymiarowe

Pamięci Flash NAND są już wykonywane jako elementy trójwymiarowe (wielowarstwowe), co zapewnia duże pojemności i małe koszty. Zdaniem ekspertów z firmy Applied Materials za kilka lat na rynku pojawią się wykonane w podobny sposób pamięci DRAM.

Posłuchaj
00:00

Zmiana ta zapewni lepszą wydajność, niże koszty i większe pojemności tych elementów w przeliczeniu na chip, bo dotychczasowe rozwiązania, z uwagi na coraz więcej ograniczeń fizycznych, utrudniają skalowanie. Jeszcze kilka lat temu gęstość komórek pamięci w chipach DRAM rosła o około 25% w przeliczeniu na węzeł, obecnie już tylko o 20%.

 

Powiązane treści
Goodram Industrial uruchomił nową stronę internetową
Powstanie europejska firma specjalizująca się w chipach pamięci
Pamięć DDR5 zadebiutuje już w pierwszej połowie tego roku
Dynamic Flash Memory następcą pamięci DRAM
Popyt na MOSFET-y i niższej klasy układy DRAM pozostaje wysoki
W 2027 roku rynek pamięci przekroczy 260 mld dolarów
Samsung wprowadza technologię PIM do szerszych zastosowań
SK hynix ukończyl budowę fabryki produkującej DRAM w litografii EUV
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Optoelektronika
Nowe standardy oświetlenia w Toruniu
Optoelektronika
VIGO Photonics i PCO zawarli strategiczne partnerstwo dla wzmocnienia potencjału polskiej obronności
Komunikacja
Znaczenie 5G rośnie, ale LTE pozostaje silne
Pomiary
Keysight prezentuje nowe rozwiązanie do testowania bezpieczeństwa systemów wbudowanych – premiera testbencha nowej generacji
Mikrokontrolery i IoT
Chiny stawiają na RISC-V
Zasilanie
Microchip prezentuje nowy układ zarządzania zasilaniem – MCP16701
Zobacz więcej z tagiem: Aktualności
Gospodarka
Jest nowy szef Intela
Gospodarka
W Poznaniu powstanie "Fabryka AI"
Gospodarka
HARTING napędza transformację energetyczną – technologie przyszłości na Hannover Messe 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów