Pamięci DRAM też będą trójwymiarowe
| Gospodarka AktualnościPamięci Flash NAND są już wykonywane jako elementy trójwymiarowe (wielowarstwowe), co zapewnia duże pojemności i małe koszty. Zdaniem ekspertów z firmy Applied Materials za kilka lat na rynku pojawią się wykonane w podobny sposób pamięci DRAM.
Zmiana ta zapewni lepszą wydajność, niże koszty i większe pojemności tych elementów w przeliczeniu na chip, bo dotychczasowe rozwiązania, z uwagi na coraz więcej ograniczeń fizycznych, utrudniają skalowanie. Jeszcze kilka lat temu gęstość komórek pamięci w chipach DRAM rosła o około 25% w przeliczeniu na węzeł, obecnie już tylko o 20%.
