Samsung Electronics niedawno ogłosił rozpoczęcie wysyłki do producentów pierwszych w branży próbek układów DRAM GDDR6 o pojemności 16 GB. Układy pamięci zostały wykonane w 10-nanometrowej litografii, a ich przepustowość wynosi 25 Gb/s. Pamięć nowej generacji ma znacząco wpłynąć na wydajność GPU oraz wesprzeć procesy sztucznej inteligencji.
Nowa linia pamięci GDDR6 firmy Samsung będzie również wyposażona funkcje niskiego zużycia energii, która umożliwi wydłużenie czasu pracy urządzeń przenośnych. Technologia ta polega na dynamicznej zmianie napięcia pracy zależnie od zapotrzebowania. Samsung dostarczy wersje 20 Gb/s i 16 Gb/s, które oferują około 20% wyższą wydajność przy pracy z napięciem na poziomie 1,1 V, w porównaniu do standardu branżowego GDDR6 wynoszącego 1,35 V.
Źródło: Electronicsb2b
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
